[发明专利]封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201911118293.2 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110890356A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 危建;代克;颜佳佳 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/64;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
第一电气连接层，所述封装结构的外引脚位于所述第一电气连接层的下表面；
芯片，位于所述第一电气连接层的上表面上，所述第一电气连接层上表面与下表面相对；
第一类电子元件，位于所述芯片的上方；
金属柱，位于所述第一类电子元件与所述第一电气连接层之间，所述第一类电子元件通过所述金属柱与所述第一电气连接层实现电连接，以增加所述封装结构的散热。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括设置在第一电气连接层与所述第一类电子元件之间的第二类电子元件。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属柱作为所述第一类电子元件的引脚电极，以降低所述第一类电子元件电气路径上的直流阻抗。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属柱位于所述第一类电子元件的散热通路上，以降低所述第一类电子元件至所述封装结构外引脚的热阻。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属柱是实心的。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属柱的高度不小于0.3mm。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属柱与所述第一类电子元件的焊盘接触，以作为所述第一类电子元件的引脚电极。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片配置为已封装好IC芯片。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片配置为裸芯片，所述芯片的有源面朝向所述第一电气连接层，所述芯片的背面不包括电极。
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括位于所述芯片上方的第二电气连接层，其中，所述第一类电子元件位于在所述第二电气连接层上。
11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述金属柱焊接在所述第一电气连接层与第二电气连接层之间，所述第一类电子元件的焊盘通过第二电气连接层与所述金属柱连接。
12.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述芯片的背面通过黏结胶粘贴在所述第一电气连接层上，所述芯片的有源面朝向所述第二电气连接层。
13.根据权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括位于所述第一电气连接层与所述第二电气连接层之间的空心柱，所述芯片有源面的焊盘通过所述空心柱与所述第一电气连接层实现电连接。
14.根据权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述第一类电子元件的其中一个焊盘通过第二电气连接层与所述芯片有源面的焊盘实现电连接。
15.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述芯片的有源面朝向所述第一电气连接层，所述芯片的背面包括电极。
16.根据权利要求15所述的封装结构，其特征在于，所述芯片背面的电极通过所述空心柱与所述第一电气连接层实现电连接。
17.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一电气连接层配置为金属框架。
18.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一电气连接层是通过RDL工艺电镀形成。
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