[发明专利]差分信号转单端信号电路、锁相环和SERDES电路有效
申请号: | 201911116906.9 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN110838844B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 何金国 | 申请(专利权)人: | 湖南国科微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410131 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信号 转单端 电路 锁相环 serdes | ||
1.一种差分信号转单端信号电路,其特征在于,所述电路包括:电流镜电路、差分信号输入电路和第一开关管,
所述差分信号输入电路的第一差分信号输入端用于输入第一差分信号,所述差分信号输入电路的第二差分信号输入端用于输入第二差分信号,所述差分信号输入电路的接地端接地,所述差分信号输入电路的第一差分信号输入端连接所述第一开关管的控制端,所述第一开关管的输入端连接所述电流镜电路的第一输出端,所述第一开关管的输出端连接所述差分信号输入电路的第一端和所述电流镜电路的控制端,所述电流镜电路的输入端用于输入电源电压,所述电流镜电路的第二输出端连接所述差分信号输入电路的第二端,并用于连接外部电路;
当所述第一差分信号的电压大于所述第二差分信号的电压,且均大于所述差分信号输入电路的阈值电压时,所述第一开关管处于截止状态。
2.根据权利要求1所述的差分信号转单端信号电路,其特征在于,还包括负载电容,所述负载电容的一端连接所述差分信号转单端信号电路的输出端,所述负载电容的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的差分信号转单端信号电路,其特征在于,所述差分信号输入电路为差分对管电路。
4.根据权利要求3所述的差分信号转单端信号电路,其特征在于,所述差分对管电路包括第二开关管和第三开关管,所述第二开关管的控制端作为所述第一差分信号输入端,所述第三开关管的控制端作为所述第二差分信号输入端,所述第二开关管的输入端作为所述差分信号输入电路的第一端,所述第三开关管的输入端作为所述差分信号输入电路的第二端,所述第二开关管的输出端和所述第三开关管的输出端连接后作为所述差分信号输入电路的接地端。
5.根据权利要求4所述的差分信号转单端信号电路,其特征在于,所述电流镜电路包括第四开关管和第五开关管,所述第四开关管的输入端和所述第五开关管的输入端连接后作为所述电流镜电路的输入端,所述第四开关管的输出端作为所述电流镜电路的第一输出端,所述第五开关管的输出端作为所述电流镜电路的第二输出端,所述第四开关管的控制端和所述第五开关管的控制端连接后作为所述电流镜电路的控制端。
6.根据权利要求5所述的差分信号转单端信号电路,其特征在于,所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管、所述第四开关管和所述第五开关管均为晶体三极管。
7.根据权利要求5所述的差分信号转单端信号电路,其特征在于,所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管、所述第四开关管和所述第五开关管均为金属-氧化物-半导体管。
8.根据权利要求7所述的差分信号转单端信号电路,其特征在于,所述第二开关管和所述第三开关管为N型金属-氧化物-半导体管,所述第一开关管、所述第四开关管和所述第五开关管为P型金属-氧化物-半导体管。
9.一种锁相环,其特征在于,所述锁相环的压控振荡器包括权利要求1-8任一项所述的差分信号转单端信号电路。
10.一种SERDES电路,其特征在于,所述SERDES电路包括权利要求1-8任一项所述的差分信号转单端信号电路。
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