[发明专利]一种表面检测装置及方法有效
| 申请号: | 201911112606.3 | 申请日: | 2019-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN110763690B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 张濛园;李仲禹;韩晓荣 | 申请(专利权)人: | 上海精测半导体技术有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/88 | 分类号: | G01N21/88;G01N21/95;G01N21/47;G01N21/01 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201703 上海市青浦区赵巷*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 表面 检测 装置 方法 | ||
本发明公开一种表面检测装置及方法,包括:转动机构、沿光线传播路径依次排列的第一反射模块、聚光模块和收光模块;第一反射模块、聚光模块和收光模块固定于转动机构;转动机构内设置有包括一竖直部和多个倾斜部的通孔;第一反射模块设置于竖直部,聚光模块设置于倾斜部;转动机构围绕第一旋转轴旋转;第一反射模块包括依次邻接设置的多个反射镜,每个反射镜与被测物体所在平面的夹角不同;聚光模块的焦点与收光模块的焦点重合,且焦点位于被测物体表面上;第一反射模块将检测光束反射成反射光束后通过聚光模块聚光后入射至被测物体的表面;收光模块将反射光束经由被测物体的表面散射后形成的散射光束转换为平行光束后出射。以提高检测效率。
技术领域
本发明实施例涉及半导体技术领域,尤其涉及一种表面检测装置及方法。
背景技术
随着大规模集成电路的快速发展,硅片表面粒子情况对于器件制造的影响也越来越受到人们的重视。
图1是目前典型的一种对硅片表面粒子进行散射测量的量测设备的结构示意图,如图1所示,该量测设备包括机体200,其中,机体200内部设置有放置被测硅片210的工件台220、用于发射正入射光λ和斜入射光μ的发射单元230和光探测器240。发射单元230发出的正入射光λ和斜入射光μ照射到工件台220的被测硅片210的表面上,通过对被测硅片210表面的反射光和散射光γ的分析,实现被测硅片210表面粒子情况检测。为了实现对整个硅片的检测,工件台220设置x方向移动台和y方向移动台,通过移动台在x方向和y方向的移动,或者设置绕z轴转动的转动台(图2),通过绕z轴转动的同时沿x轴的单向移动,实现被测硅片210整体区域的扫描检测。
然而,现有技术中通过工件台移动进行检测的方式效率低。
发明内容
本发明提供一种表面检测装置及方法,以实现提高检测效率的效果。
本发明实施例提供了一种表面检测装置,该表面检测装置包括:转动机构、沿光线传播路径依次排列的第一反射模块、聚光模块和收光模块;所述第一反射模块、所述聚光模块和所述收光模块固定于所述转动机构内;所述转动机构围绕第一旋转轴旋转;
所述转动机构内设置有通孔,所述通孔包括一个竖直部和多个倾斜部;
所述第一反射模块包括依次邻接设置的多个反射镜,且每个所述反射镜与被测物体所在平面的夹角不同;
所述聚光模块包括多个聚光单元;
所述收光模块包括多个收光单元;
所述倾斜部、所述反射镜、所述聚光单元以及所述收光单元的数量相等,且相互一一对应设置;
所述第一反射模块设置于所述通孔的所述竖直部内,所述聚光模块的每个聚光单元设置于与所述聚光单元对应的倾斜部内;所述收光模块的每个收光单元的中心点与所述第一旋转轴的距离不同,并且每个所述收光单元的焦点与其对应的所述聚光单元的焦点重合;
所述第一旋转轴与所述竖直部的中心对称轴平行,所述第一旋转轴垂直于被测物体表面所在的平面且与所述第一反射模块在所述被测物体表面所在平面的投影交叠;
其中,所述第一反射模块通过其中一反射镜将沿所述竖直部入射的检测光束反射成反射光束,所述反射光束通过与所述反射镜对应的倾斜部内的聚光单元聚光后入射至所述被测物体的表面,经由所述被测物体的表面散射后形成的散射光束被相对应的收光单元转换为平行光束后出射。
进一步地,所述第一反射模块包括第一反射镜和第二反射镜,所述收光模块包括第一收光单元和第二收光单元;
所述第一反射镜和所述第一收光单元对应设置,所述第一收光单元用于将第一散射光束转换为平行光束后出射,所述第一散射光束为所述第一反射镜的反射光束通过与所述第一反射镜对应的聚光单元聚光后经由所述被测物体表面散射后形成的散射光束;
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