[发明专利]一种SiC MOSFET驱动电路

说明书

本发明提供了一种SiC MOSFET驱动电路，由于采用巧妙的方式使驱动电路在单电源供电的情况下，实现四电平驱动信号输出；在桥臂另一MOS管开通时刻采用负压关断来避免误导通；在桥臂另一MOS管关断时刻采用零压关断来避免MOS管失效；本发明提供的电路简单易行，而且成本较低；本发明在被驱动MOS管开通关断时刻都采用最大电压驱动，最大化提升开关速度。

技术领域

本发明涉及电路领域，特别是一种驱动电路。

背景技术

相对于Si MOSFET，SiC MOSFET具有非常高的开关速度。然而，较高的开关速度会在寄生电感上感应出较大的振荡。同时，SiC MOSFET的驱动电压阈值较低，GS之间耐受负压能力较差，在常用的桥臂电路中，上管开通时，下管GS之间产生的正压尖峰很有可能导致误开通，上管关断时，下管GS之间产生的负压尖峰很有可能击穿GS之间的氧化层，导致SiCMOSFET失效。

现在，常见的SiC MOSFET驱动电路大多采用负压关断，在上管关断时易发生MOSFET失效故障，带有串扰抑制的驱动电路又大多较为复杂。所以，迫切的需要一种简单的方法来抑制串扰以更好的实现SiC MOSFET的性能。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提供一种SiC MOSFET的驱动电路，该驱动电路采用四电平驱动，通过在关断开始时采用负压关断避免了桥臂另一SiC MOSFET开通过程带来的的误导通情况，通过关在断结束时采用零电压关断避免了负压尖峰对SiC MOSFET失效的影响。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种SiC MOSFET驱动电路，包括MOS管SW₁、MOS管SW₂、MOS管SW₃、二极管D₁、二极管D₂、电阻R₁、电阻R₂、电阻R₃、电容C₁、MOS管S₁₀，所述MOS管SW₁的漏极同时连接电阻R₃的一端和供电电源的正极，MOS管SW₁的源极同时连接MOS管SW₂的漏极、二极管D₁的阴极和电阻R₁的一端，二极管D₁的阳极同时连接电阻R₁的另一端和MOS管S₁₀的门级G，MOS管S₁₀的源极S同时连接电容C₁的一端、二极管D₂的阴极、电阻R₃的另一端和电阻R₂的一端，电阻R₂的另一端连接MOS管SW₃的漏极，MOS管SW₃的源极同时连接二极管D₂的阳极、电容C₁的另一端、MOS管SW₂的源极和供电电源的负极。

所述二极管D₂为稳压二极管。

所述MOS管S₁₀为SiC MOSFET。

本发明的有益效果在于由于采用巧妙的方式使驱动电路在单电源供电的情况下，实现四电平驱动信号输出；在桥臂另一MOS管开通时刻采用负压关断来避免误导通；在桥臂另一MOS管关断时刻采用零压关断来避免MOS管失效；本发明提供的电路简单易行，而且成本较低；本发明在被驱动MOS管开通关断时刻都采用最大电压驱动，最大化提升开关速度。

附图说明

图1为本发明SiC MOSFET驱动结构示意图，其中G为MOS管S10的门级，S为MOS管S10的源极，D为MOS管S10的漏极。

图2为MOS管驱动信号时序图。

图3为本发明的功能实现图。