[发明专利]一种Co在审
| 申请号： | 201911110963.6 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110697782A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 陶凯;杨政;韩磊 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01G51/00;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/30;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 纳米片阵列 核壳结构 纳米片 三维网络结构 一步水热合成 形貌 超级电容器 生产成本低 循环稳定性 尺寸均一 电极材料 能源存储 泡沫镍基 阵列结构 比电容 潜在的 核壳 交联 可调 应用 合成 | ||
1.一种Co3S4@MoS2核壳结构纳米片阵列材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将泡沫镍表面杂质超声清洗干净；
(2)将六水合硝酸钴、二甲基咪唑和去离子水混合，得到反应溶液，将泡沫镍放入反应溶液中，常温下反应一段时间，蒸馏水清洗，在鼓风干燥箱烘干，得到Co3S4@MoS2纳米片阵列材料的前驱体；
(3)将硫代乙酰胺、二水钼酸钠和乙醇混合超声，形成均匀的混合溶液，将上述制备得到的前驱体浸入混合液中，放入反应釜中，将反应釜封闭，在两个阶段的温度下反应，冷却至室温，乙醇清洗，60℃鼓风干燥箱烘干，制备得到Co3S4@MoS2纳米片阵列材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的清洗方法为：将表面有杂质的泡沫镍依次放入丙酮、去离子水和乙醇中进行超声清洗，超声清洗时间分别为10～20min。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中硝酸钴、二甲基咪唑的摩尔比为1∶x，4≤x≤16。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中常温下反应2～12h。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中二水钼酸钠、硫代乙酰胺的摩尔比为1∶y，其中0.25≤y≤4。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中第一阶段水热反应的温度为90～120℃，反应时间为3～6h，第二阶段水热反应的温度为160～220℃，反应时间为：4～12h。
7.一种权利要求1所述的Co3S4@MoS2核壳结构纳米片阵列材料的应用，其特征在于，作为超级电容器的电极材料。
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