[发明专利]一种电平转换芯片及显示装置在审
申请号: | 201911108614.0 | 申请日: | 2019-11-13 |
公开(公告)号: | CN110910844A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 李文芳;曹丹 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电平 转换 芯片 显示装置 | ||
本发明提供一种电平转换芯片和显示装置,所述电平转换芯片包括电平转换模块、过流保护模块和控制模块。所述控制模块用于检测所述电平转换芯片当前是否处于防静电测试模式,并在所述电平转换芯片处于防静电测试模式时,控制所述过流保护模块停止工作。在所述电平转换芯片处于非防静电测试模式时,控制所述过流保护模块正常工作。从而有效的避免了防静电测试时,过流保护模块受干扰而产生误动作。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种电平转换芯片及显示装置。
背景技术
利用阵列制程将栅极扫描驱动电路直接制作在薄膜晶体管阵列基板上(GateDriver on Array,GOA)来取代外接的栅极扫描驱动IC技术可以进一步降低生产成本。GOA电路中一般需要接入若干时钟信号,以实现其栅极逐行扫描的功能。现有技术中,通常利用电平转换芯片(level shifter IC)将初始的时钟信号进行电平转换后输出至液晶显示面板的GOA电路中。为了防止时钟信号走线出现短路导致液晶显示面板被烧坏,现有技术的电平转换芯片一般具有过流保护(Over Current Protection,OCP)功能。但是防静电(electrostatic discharge,ESD)测试时,过流保护模块易受到干扰导致误动作,发生滤波器管脚(pin)信号翻转,导致液晶显示面板黑屏。
因此,现有过流保护模块误动作的问题需要解决。
发明内容
本发明提供一种电平转换芯片及显示装置,以缓解现有过流保护模块误动作的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种电平转换芯片,其包括电平转换模块、过流保护模块、控制模块。所述过流保护模块用于对所述电平转换模块进行过流保护。所述控制模块用于检测所述电平转换芯片当前是否处于防静电测试模式,并在所述电平转换芯片处于防静电测试模式时,控制所述过流保护模块停止工作。
在本发明实施例提供的电平转换芯片中,所述控制模块包括第一比较器,所述第一比较器的第一输入端接地,所述第一比较器的第二输入端接第一参考电压,所述第一比较器的输出端接所述过流保护模块的使能信号输入端。
在本发明实施例提供的电平转换芯片中,所述控制模块包括第二比较器、第三比较器、第一电流源、第一开关管和电容。所述第二比较器的第一输入端接地,所述第二比较器的第二输入端接第二参考电压,所述第二比较器的输出端接所述第一开关管的控制端,以控制所述第一开关管的开关。所述第一开关管的输入端接所述第一电流源,所述第一开关管的输出端接所述电容的第一电极板。所述电容的第二电极板接地。所述第三比较器的第一输入端接所述电容的第一电极板,所述第三比较器的第二输入端接第三参考电压,所述第三比较器的输出端接所述过流保护模块的使能信号输入端。
在本发明实施例提供的电平转换芯片中,所述第一开关管为N型场效应晶体管。
在本发明实施例提供的电平转换芯片中,所述N型场效应晶体管的栅极连接所述第二比较器的输出端,所述N型场效应晶体管的源极连接所述第一电流源,所述N型场效应晶体管的漏极连接所述电容。
在本发明实施例提供的电平转换芯片中,所述控制模块用于在检测结果为处于防静电测试模式时,输出高电平使能信号,所述过流保护模块在接收到所述高电平使能信号时停止工作。
在本发明实施例提供的电平转换芯片中,所述控制模块用于在检测结果为处于防静电测试模式时,输出低电平使能信号,所述过流保护模块在接收到所述低电平使能信号时停止工作。
在本发明实施例提供的电平转换芯片中,所述控制模块用于在在所述电平转换芯片处于非防静电测试模式时,控制所述过流保护模块正常工作。
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