[发明专利]铁电薄膜三元复合光电极及其制备方法

权利要求书

1.一种铁电薄膜三元复合光电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

S1、提供一导电基片；

S2、在导电基片表面制备铁电薄膜，得到铁电薄膜光电极；

S3、在铁电薄膜表面制备氧化钛薄膜；

S4、通过化学气相沉积法在氧化钛薄膜表面负载石墨相氮化碳，得到铁电薄膜三元复合光电极，石墨相氮化碳的负载量为5μg/cm²～20μg/cm²；

所述步骤S2具体为：

将醋酸铅与钛酸丁酯溶解于乙酸与乙二醇甲醚混合溶液，得到钛酸铅胶体；

将钛酸铅胶体旋涂至导电基片表面，加热挥发溶剂；

退火使钛酸铅薄膜结晶，得到铁电薄膜光电极；

所述步骤S3具体为：

将钛酸丁酯溶解于乙二醇甲醚中，得到的氧化钛胶体；

将氧化钛胶体旋涂至铁电薄膜表面，加热挥发溶剂；

退火使氧化钛薄膜结晶；

所述步骤S4具体为：

将0.05g～0.2g的三聚氰胺均匀放置于封闭的刚玉舟底部，氧化钛薄膜/铁电薄膜/导电基片正面朝下置于三聚氰胺上方1cm～3cm处；

将刚玉舟置于马弗炉中，升温至500℃～600℃后保温1h～5h，再自然冷却至室温。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铁电薄膜为钛酸铅、铁酸铋、钛酸钡薄膜中的一种或多种，铁电薄膜的厚度小于或等于500nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化钛薄膜的厚度为25～100nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电基片为FTO基片、ITO基片、Pt基片中的一种。