[发明专利]反射物质介质电参数的确定方法、系统及设备

权利要求书

1.一种反射式物质介质电参数的确定方法，其特征在于，应用于待测物体；所述反射式物质介质电参数的确定方法包括：

利用太赫兹时域光谱系统，获取参考反射数据信息及实际反射数据信息；其中，所述参考反射数据信息是以反射镜为反射面获取的反射数据信息；所述实际反射数据信息是以待测物体的表面为反射面获取的反射数据信息；

根据预设的参数计算方式，计算所述待测物体的反射物质介质电参数。

2.根据权利要求1所述的反射物质介质电参数的确定方法，其特征在于，所述反射物质介质电参数的确定方法还包括：

在获取所述反射物质介质电参数后，结合所述待测物体的反射时域信号上下表面的反射峰延时量及光速常量，计算所述待测物体的实际厚度。

3.根据权利要求1所述的反射物质介质电参数的确定方法，其特征在于，所述太赫兹时域光谱系统包括辐射光电导天线及接收光电导天线。

4.根据权利要求1所述的反射物质介质电参数的确定方法，其特征在于，所述参考反射数据信息包括：反射时域信号于S偏振的参考辐射电场强度及于P偏振的参考辐射电场强度；

所述利用太赫兹时域光谱系统，获取参考反射数据信息的步骤包括需以反射镜为反射面，测量反射时域信号于S偏振方向的时域脉冲峰峰值和于P偏振方向的时域脉冲峰峰值，以计算反射时域信号于S偏振方向的参考辐射电场强度和于P偏振方向的参考辐射电场强度。

5.根据权利要求4所述的反射物质介质电参数的确定方法，其特征在于，所述实际反射数据信息包括：反射时域信号于S偏振方向的实际辐射电场强度及于P偏振方向的实际辐射电场强度、待测样品于S偏振方向的反射系数及待测样品于P偏振方向的反射系数。

6.根据权利要求5所述的反射物质介质电参数的确定方法，其特征在于，所述利用太赫兹时域光谱系统，获取实际反射数据信息的步骤还包括需以待测物体的表面为反射面，同方向旋转辐射光电导天线及接收光电导天线至任意角度，测量反射时域信号于S偏振方向的时域脉冲峰峰值和于P偏振方向的时域脉冲峰峰值，以确定反射时域信号于S偏振方向的实际辐射电场强度及于P偏振方向的实际辐射电场强度。

7.根据权利要求6所述的反射物质介质电参数的确定方法，其特征在于，

所述待测物体的反射物质介质电参数包括待测物体的折射率、入射角及折射角。

8.根据权利要求7所述的反射物质介质电参数的确定方法，其特征在于，

待测样品于S偏振方向的反射系数＝反射时域信号于S偏振方向的实际辐射电场强度/反射时域信号于S偏振方向的参考辐射电场强度；

待测样品于P偏振方向的反射系数＝反射时域信号于P偏振方向的实际辐射电场强度/反射时域信号于P偏振方向的参考辐射电场强度；

待测物体的折射率＝入射角的正弦值/折射角的正弦值。

9.一种反射物质介质电参数的确定系统，其特征在于，应用于待测物体；所述反射物质介质电参数的确定系统包括：

获取模块，用于利用太赫兹时域光谱系统，获取参考反射数据信息及实际反射数据信息；其中，所述参考反射数据信息是以反射镜为反射面获取的反射数据信息；所述实际反射数据信息是以待测物体的表面为反射面获取的反射数据信息；

处理模块，用于根据预设的参数计算方式，计算所述待测物体的反射物质介质电参数。

10.一种设备，其特征在于，包括：处理器及存储器；

所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于执行所述存储器存储的计算机程序，以使所述设备执行如权利要求1至8中任一项所述反射物质介质电参数的确定方法。