[发明专利]高纯度锗晶体材料的表面处理装置及处理方法

权利要求书

1.高纯度锗晶体材料的表面处理装置，其特征在于，包括盛放锗晶体材料的盛料槽、垫条和加热器；所述盛料槽固定于加热器的发热面，所述盛料槽的顶部为敞开结构，侧面上部开设进水口，所述进水口与进水管路连接，所述进水管路上设有体积流量计和进水阀，所述进水口相对的盛料槽侧面下部开设出水口，所述出水口与出水管路连接，所述出水管路上设有出水阀。

2.根据权利要求1所述的高纯度锗晶体材料的表面处理装置，其特征在于，所述进水口的开设位置高于盛料槽高度的2/3。

3.根据权利要求1所述的高纯度锗晶体材料的表面处理装置，其特征在于，所述出水口到出水阀之间的出水管路、进水口到进水阀之间的进水管路均为石英材质，所述出水阀及进水阀为耐腐蚀阀门。

4.根据权利要求1所述的高纯度锗晶体材料的表面处理装置，其特征在于，所述垫条的结构为三棱柱或半圆柱体。

5.根据权利要求1所述的高纯度锗晶体材料的表面处理装置，其特征在于，所述盛料槽和垫条的材质为高纯石英。

6.根据权利要求1所述的高纯度锗晶体材料的表面处理装置，其特征在于，所述进水口为扇形结构。

7.高纯度锗晶体材料的表面处理方法，其特征在于，使用如权利要求1-6中任一项高纯度锗晶体材料的表面处理装置，所述表面处理方法包括如下步骤：

步骤S1，将盛料槽固定于加热器上，根据锗晶体材料的形状、长度或尺寸大小，在盛料槽底部横位放置为垫条；将锗晶体材料排列放置在垫条上，放满一层后在第一层锗晶体材料上面放上垫条，再在垫条上面排列放置第二层锗晶体材料，以此类推，至锗晶体材料达到盛料槽高度的约2/3处；

步骤S2，关闭出水阀，打开进水阀，在盛料槽中通入去离子水至水面全部将锗晶体材料淹没，关闭进水阀，根据体积流量计记录通入的去离子水的体积并换算为质量，根据去离子水的质量按比例在盛料槽中加入过氧化氢和氢氧化钠；

步骤S3，加热煮沸保持沸腾5-10分钟后关闭加热器，同时打开进水阀和出水阀，保持出水阀的流量开度大于进水阀的流量开度，使出水量大于进水量至液位持续下降；关闭出水阀，至水面再次淹没锗晶体材料表面，加热煮沸并置换盛料槽内液体循环3-5次，最后一次水淹没锗晶体材料后放置约30分钟；将锗晶体材料取出放置于洁净工作台晾干备用。

8.根据权利要求7所述的高纯度锗晶体材料的表面处理方法，其特征在于，步骤S1中所述锗晶体材料的形状为锗锭、锗片、锗棒或锗块。

9.根据权利要求7所述的高纯度锗晶体材料的表面处理方法，其特征在于，步骤S2中所述过氧化氢为分析纯过氧化氢，所述氢氧化钠为分析纯氢氧化钠。

10.根据权利要求9所述的高纯度锗晶体材料的表面处理方法，其特征在于，步骤S2中所述过氧化氢与去离子水的质量比为4-10∶100，所述氢氧化钠与去离子水的质量比为3-8∶1000。