[发明专利]一种混合阴离子红外非线性光学晶体/粉末及其制备方法

权利要求书

1.一种混合阴离子红外非线性光学晶体，其特征在于，其化学式为Sr₃Ge₂Se₃O₄。

2.根据权利要求1所述的混合阴离子红外非线性光学晶体，其特征在于，所述Sr₃Ge₂Se₃O₄非线性光学晶体不具备有对称中心，属三方晶系，空间群为R3m，其晶胞参数为：α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝3。

3.一种权利要求1所述混合阴离子红外非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，该晶体采用高温固相反应法制备，具体操作步骤为：

将SrSe，GeSe₂，Sb₂Se₃和Sb₂O₃以摩尔比为9:6:4:4的比例混合均匀后置于石英安瓿中，将石英安瓿抽真空并进行熔化封结，放入马弗炉中，升温至900～1000℃，保温一段时间，然后降温至室温，得到Sr₃Ge₂Se₃O₄晶体。

4.根据权利要求3所述的混合阴离子红外非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，所述石英安瓿抽真空至10^-3Pa并进行熔化封结，放入马弗炉中，以20℃/小时的速率升温至900～1000℃。

5.根据权利要求3所述的混合阴离子红外非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，升温至900～1000℃后保温70-75小时，然后以3℃/小时的降温速率降温至室温。

6.一种权利要求1所述混合阴离子红外非线性光学晶体的粉末制备方法，其特征在于，其采用高温固相反应法制备，具体操作步骤为：

将含Sr物质、含Ge物质和单质Se混合均匀后，加热至900～1000℃进行高温固相反应，得到锶锗硒氧化合物；

所述含Sr物质、含Ge物质和单质Se中Sr:Ge:O:Se元素摩尔比为3:2:4:3；

所述含Sr物质为Sr单质、SrSe或SrO；所述含Ge物质为Ge单质、GeO₂或GeSe₂。

7.根据权利要求4所述的混合阴离子红外非线性光学晶体的粉末制备方法，其特征在于，所述加热至900～1000℃进行高温固相反应是指：

将混合均匀的物料装入石英管中，然后对石英管抽真空至10^-3Pa并进行熔化封结；将封结的石英管放入马弗炉中，以30～50℃/h的速率升温至900～1000℃，保温72h，冷却后取出并研磨，得到粉末状的Sr₃Ge₂Se₃O₄化合物。