[发明专利]一种MoS2

权利要求书

1.一种MoS₂纳米带嵌入的VS₂微米花自支撑电极的制备方法，其特征在于包括以下合成步骤：

1)将0.2～0.3g偏钒酸钠溶于25-35mL的去离子水中，然后再加入2.5mL氨水搅拌均匀得澄清溶液A；

2)取0.75～0.85g硫代乙酰胺和0.12～0.2g四水合钼酸铵加入到澄清溶液A中，搅拌均匀得溶液B；

3)将溶液B转移到高压反应釜中，并将钼箔竖直置于溶液B中，然后置于反应烘箱中，在150～180℃水热反应；

4)待反应结束后，将反应釜在室温下冷却，产物用去离子水和乙醇冲洗干净后真空干燥得到MoS₂纳米带嵌入的VS₂微米花自支撑电极。

2.根据权利要求1所述的MoS₂纳米带嵌入的VS₂微米花自支撑电极的制备方法，其特征在于：所述步骤1和2)钼源与钒源的摩尔比为0.05～0.1：1。

3.根据权利要求1所述的MoS₂纳米带嵌入的VS₂微米花自支撑电极的制备方法，其特征在于：所述步骤3)水热反应为一步水热法，其反应时间为22～25h。

4.根据权利要求1所述的MoS₂纳米带嵌入的VS₂微米花自支撑电极的制备方法，其特征在于：所述的步骤3)的钼箔的尺寸为1*6cm，将钼箔先后浸入纯丙酮溶液和盐酸溶液中超声清洗，然后分别用乙醇与去离子水交替冲洗后真空干燥。

5.根据权利要求1所述的MoS₂纳米带嵌入的VS₂微米花自支撑电极的制备方法，其特征在于：所述步骤4)真空干燥是在60℃下真空干燥6h。

6.一种根据权利要求1所述制备方法制得的MoS₂纳米带嵌入的VS₂微米花自支撑电极，其特征在于：所得自支撑电极是一种纳米片自组装的VS₂微米花自支撑电极，其中VS₂纳米片内嵌MoS₂纳米带。

7.一种如权利要求1所述制备方法制得的MoS₂纳米带嵌入的VS₂微米花自支撑电极在大电流下即200mA cm^-2具有突出的电催化产氢性能：在酸性介质中，当获得500和1000mA cm^-2的电流密度时，所需过电势分别为282和336mV。