[发明专利]发光元件的制作方法及应用发光元件的电子装置

说明书

本揭露提供一种发光元件的制作方法及应用发光元件的电子装置，发光元件的制作方法包括以下步骤。提供发光二极管。施加能量束来处理发光二极管的表面，其中能量束的功率密度大于0毫焦耳/平方厘米且小于或等于2000毫焦耳/平方厘米。本揭露实施例的发光元件的制作方法所制作出的发光元件，可提高光萃取效率，可具有较佳的出光效果，并可电性连接驱动电路以构成电子装置。

技术领域

本揭露涉及一种半导体元件的制作方法，尤其涉及一种发光元件的制作方法及应用发光元件的电子装置。

背景技术

近年来，具有发光二极管的发光元件或应用发光元件的电子装置逐渐成为显示或照明趋势。发光二极管通常是使用激光将未掺杂的氮化镓层分解为镓层与氮层，从而使发光二极管与蓝宝石基板分离，其中镓层容易残留于发光二极管的表面上，从而影响发光二极管的有效出光效率和光型。为了去除发光二极管表面上的镓层，目前是采用氯化氢以酸洗的方式来去除。然而，酸洗的步骤除了会损坏基板或发光二极管的焊料/凸块材料，从而导致成品率下降或材料使用受限之外，且也会造成环境污染而不符合绿色生产(GreenProduction)的趋势。因此，如何有效地去除发光二极管表面上的镓层，从而提高发光二极管的光萃取效率(light extraction efficiency)，已成为目前亟待解决的问题之一。

发明内容

本揭露提供一种发光元件的制作方法及应用发光元件的电子装置，可提高光萃取效率，可具有较佳的出光效果。

根据本揭露的实施例，发光元件的制作方法其包括以下步骤。提供发光二极管。施加能量束来处理发光二极管的表面，其中能量束的功率密度(power density)大于0毫焦耳/平方厘米且小于或等于2000毫焦耳/平方厘米。

根据本揭露的另一实施例，发光元件的制作方法其包括以下步骤。提供已形成有发光二极管的第一基板。施加第一能量束于第一基板上，以分离发光二极管与第一基板，并暴露出发光二极管的缓冲层。施加第二能量束于缓冲层上，以形成表面粗糙层于发光二极管上，其中第二能量束的功率密度大于0毫焦耳/平方厘米且小于或等于2000毫焦耳/平方厘米。

根据本揭露的另一实施例，电子装置包括发光元件及电性连接发光元件的驱动电路。发光元件的制作方法其包括以下步骤。提供发光二极管。施加能量束来处理发光二极管的表面，其中能量束的功率密度(power density)大于0毫焦耳/平方厘米且小于或等于2000毫焦耳/平方厘米。

根据本揭露的另一实施例，电子装置包括发光元件及电性连接发光元件的驱动电路。发光元件的制作方法其包括以下步骤。提供已形成有发光二极管的第一基板。施加第一能量束于第一基板上，以分离发光二极管与第一基板，并暴露出发光二极管的缓冲层。施加第二能量束于缓冲层上，以形成表面粗糙层于发光二极管上，其中第二能量束的功率密度大于0毫焦耳/平方厘米且小于或等于2000毫焦耳/平方厘米。

综上所述，在本揭露的实施例中，通过施加能量束来处理发光二极管的表面，其中能量束的功率密度大于0毫焦耳/平方厘米且小于或等于2000毫焦耳/平方厘米，因此可提高发光元件及应用发光元件的电子装置的光萃取效率，可具有较佳的出光效果。

为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1A至图1E为本揭露的一实施例的一种发光元件制作方法的剖面示意图；

图2A至图2C是本揭露的多个实施例的多种发光元件的剖面示意图；

图3A至图3B是本揭露的另一实施例的一种发光元件制作方法的局部步骤的剖面示意图。

附图标号说明