[发明专利]一种薄膜器件的加工方法及薄膜器件有效
| 申请号： | 201911096604.X | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112786513B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王诗男 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 器件 加工 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜器件的加工方法，其特征在于，所述方法包括：
在支撑基板的第一主面上形成释放薄膜；
在所述释放薄膜的上表面形成薄膜器件主体；
在所述薄膜器件主体的上表面形成硬质掩膜的图形；
以所述硬质掩膜的图形为保护膜，在所述薄膜器件主体的非工作区形成穿孔，以形成薄膜器件，所述释放薄膜的上表面从所述穿孔的底部露出；以及
通过所述穿孔去除所述释放薄膜，
其中，所述释放薄膜与所述硬质掩膜被相同的腐蚀液体去除，并且所述释放薄膜与所述硬质掩膜同时去除。
2.如权利要求1所述的薄膜器件的加工方法，其特征在于，
所述释放薄膜与所述硬质掩膜材料相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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