[发明专利]显示背板及其制作方法和显示装置在审
| 申请号: | 201911095784.X | 申请日: | 2019-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN110690234A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
| 发明(设计)人: | 袁志东;袁粲;李永谦;谢恩明;倪斌;刘志 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 尹璐 |
| 地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底基板 开口区域 背板 第一电极 存储电容器 层间绝缘层 第二电极 正投影 源层 使用寿命 显示装置 相对设置 开口率 信赖性 减小 发光 占用 制作 | ||
1.一种显示背板,具有多个用于发光的开口区域,其特征在于,包括:
衬底基板;
有源层,所述有源层设置在所述衬底基板的部分表面上;
层间绝缘层,所述层间绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底基板的部分表面上;
存储电容器,所述存储电容器包括相对设置的第一电极和第二电极,所述第一电极设置在所述衬底基板的部分表面上,所述第二电极设置在所述第一电极远离所述衬底基板的一侧,
其中,所述存储电容器在所述显示背板的衬底基板上的正投影与所述显示背板中的开口区域在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠,所述层间绝缘层具有第一孔,所述第一电极设置在所述第一孔中。
2.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述第一孔是通孔。
3.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述第一孔是盲孔。
4.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述存储电容器在所述衬底基板上的正投影与所述开口区域在所述衬底基板上的正投影重叠。
5.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述显示背板为底发射显示背板,所述第一电极和所述第二电极为透明电极,形成所述第一电极和所述第二电极中的至少之一的材料为氧化铟锡。
6.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述存储电容器设置在显示背板的缓冲层和像素结构的阳极之间,所述第一电极和所述第二电极之间至少有一个绝缘层。
7.根据权利要求6所述的显示背板,其特征在于,还包括:
平坦化层,所述平坦化层设置在所述第一电极远离所述衬底基板的表面上;
像素结构,所述像素结构包括阳极,所述像素结构设置在所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧,
其中,所述第二电极设置在所述平坦化层远离所述衬底基板的表面上,且所述第二电极与所述阳极连接。
8.根据权利要求7所述的显示背板,其特征在于,还包括:
第三薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管的源极与所述显示背板的电源总线相连接,所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第二电极、所述阳极连接;
遮光层,所述遮光层设置在所述衬底基板的部分表面上,所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第三薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影,且所述遮光层通过所述有源层中的第三过孔与所述显示背板中第三薄膜晶体管的源极或漏极连接。
9.根据权利要求7所述的显示背板,其特征在于,包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管,
所述第一薄膜晶体管的栅极与所述显示背板的第一扫描线连接,所述第一薄膜晶体管的源极与所述显示背板的数据线连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一电极和所述第三薄膜晶体管的栅极连接;
所述第二薄膜晶体管的栅极与所述显示背板的第二扫描线连接,所述第二薄膜晶体管的源极与所述第二电极、所述第三薄膜晶体管的漏极和所述显示背板中像素结构的阳极连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述显示背板的基准电压信号线连接;
所述第三薄膜晶体管的源极与所述显示背板的电源总线相连接。
10.根据权利要求9所述的显示背板,其特征在于,所述平坦化层具有第一过孔,所述第二电极通过所述第一过孔与所述显示背板中第三薄膜晶体管的漏极连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





