[发明专利]一种银纳米线后处理方法

权利要求书

1.一种银纳米线后处理方法，其特征在于，在处理方法中加入了电荷平衡剂，所述电荷平衡剂的通式为：

M^a+_m（H_bX）^z-_am/z

其中，M^a+为二价金属离子或三价金属离子；二价金属离子包括Cu²⁺、Zn²⁺、Ni²⁺、Co²⁺、Mg²⁺中一种；三价金属离子包括Al³⁺、Fe³⁺、Co³⁺、Ga³⁺中一种；X为磷酸根、硫酸根、钒酸根、钨酸根、硼酸根中一种；m的值为1或2或3；b的值为0或1或2；Z的值为1或2或3；

所述处理方法包括如下步骤：

（1）将银纳米线原液分散到第一溶剂中得到银纳米线分散液，缓慢加入电荷平衡剂或滴加电荷平衡剂溶液，搅拌银纳米线和电荷平衡剂的混合分散液，离心，待银纳米线沉降到底部，去除上层液体；

（2）将步骤（1）沉降在底部的银纳米线中加入去离子水或醇，缓慢加入电荷平衡剂，搅拌银纳米线和电荷平衡剂的混合分散液，离心，待银纳米线沉降到底部，去除上层液体，重复1-6次；

（3）最后将步骤（2）离心到底部银纳米线分散到去离子水或醇中，得到处理后的银纳米线分散液；

步骤（1）与步骤（2）中加入电荷平衡剂的质量与银纳米线分散液体积比为0.005-10%，所述电荷平衡剂溶液中溶剂为水或醇或两者组合，其电荷平衡剂的质量与所述电荷平衡剂溶液中溶剂体积比为0.005-10%。

2.根据权利要求1所述的一种银纳米线后处理方法，其特征在于，所述电荷平衡剂为磷酸二氢铝。

3.根据权利要求1所述的一种银纳米线后处理方法，其特征在于，所述银纳米线原液所含银纳米线平均直径为10nm-100nm，平均长度为2-50μm。

4.根据权利要求1所述的一种银纳米线后处理方法，其特征在于，所述第一溶剂为水或醇或两者组合。

5.根据权利要求1所述的一种银纳米线后处理方法，其特征在于，步骤（1）与步骤（2）中电荷平衡剂溶液的滴加速度为10-30d/min。

6.根据权利要求1所述的一种银纳米线后处理方法，其特征在于，步骤（1）中银纳米线原液与第一溶剂的体积比为1:1-20。

7.根据权利要求1所述的一种银纳米线后处理方法，其特征在于，步骤（2）中加入去离子水或醇的体积为步骤（1）中第一溶剂的5-10倍。

8.根据权利要求1所述的一种银纳米线后处理方法，其特征在于，步骤（3）得到提纯后的银纳米线分散液中银纳米线浓度为0.1%-1%。