[发明专利]一种检测S100B的光电化学免疫传感器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种检测S100B的光电化学免疫传感器，其特征在于，由Nb9共价结合到C60@PCN-224修饰后的基底电极上，S100B通过免疫反应特异性结合到Nb9上，Nb82@CNQDs特异性结合到S100B上制得。

2.根据权利要求1所述的光电化学免疫传感器，其特征在于，所述基底电极为氧化铟锡半导体电极。

3.根据权利要求1所述的光电化学免疫传感器，其特征在于，所述C₆₀@PCN-224由PCN-224与C₆₀混合超声，搅拌，即得，所述PCN-224与C60的质量比优选为1：(0.1-10)。

4.根据权利要求3所述的光电化学免疫传感器，其特征在于，所述PCN-224由H₂TCPP、ZrOCl₄、苯甲酸溶解到DMF中，加热反应，洗涤干燥，即得PCN-224。

5.根据权利要求1所述的光电化学免疫传感器，其特征在于，所述Nb82@CNQDs由CNQDs分散液中加入戊二醛搅拌反应，洗涤后重新分散，加入Nb82搅拌孵育，即得Nb82@CNQDs。

6.根据权利要求5所述的光电化学免疫传感器，其特征在于，所述CNQDs由体相CN高温煅烧裂解，用水收集煅烧产生的CN纳米碎片的蒸汽混合物，CNQDs分散在水中，既得CNQDs。

7.一种权利要求1所述的检测S100B的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)信号层固定：将C₆₀@PCN-224分散溶液滴加在基底电极表面，干燥的室温下晾干，用去离子水清洗，晾干；

(2)锚定识别分子：向步骤(1)得到的基底电极表面滴加EDC/NHS混合溶液，室温放置1-2h，用PBS溶液清洗，清洗后将捕获抗体Nb9滴加到基底电极上，4℃孵育8-12h，然后用PBS溶液清洗；

(3)非特异性位点封闭：向步骤(2)得到的基底电极表面滴加BSA溶液，封闭0.5-1h，然后用PBS溶液清洗；

(4)目标分子S100B的结合：将待测S100B抗原溶液滴到步骤(3)得到的基底电极表面，25-37℃孵育1-2h进行特异性反应，然后用PBS溶液清洗；

(5)光电化学免疫传感器的构建：向步骤(4)得到的电极表面滴加Nb82@CNQDs溶液进行特异性反应，25–37℃孵育1-2h，然后用PBS溶液清洗，晾干，即得光电化学免疫传感器。

8.根据权利要求7所述的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中NHS浓度为20-100mM，EDC浓度为50-200mM，Nb9的浓度为5-50μg/mL。

9.根据权利要求7所述的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中BSA的质量分数为0.5-5％。

10.一种权利要求1所述的检测S100B的光电化学免疫传感器在制备定量检测S100B工具中的应用。