[发明专利]三维悬空环栅结构半导体场效应晶体管器件的制备方法

权利要求书

1.一种三维悬空环栅结构半导体场效应晶体管器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)对顶层半导体材料进行掺杂或表面处理；

(2)在步骤(1)得到的样品上利用微纳加工工艺制备出二维模型结构；(3)在步骤(2)得到的样品上利用刻蚀工艺按照模型结构加工出三维母版结构；(4)在步骤(3)得到的样品上利用微纳加工工艺制备出平面底部源电极；

(5)在步骤(4)得到的样品上利用微纳加工工艺包裹栅介质层；

(6)在步骤(5)得到的样品上利用微纳加工工艺制备出平面底部栅、漏电极；(7)在步骤(6)得到的样品上利用回刻工艺去除顶部绝缘层；

(8)在步骤(7)得到的样品上利用二次回刻工艺制备悬空环栅金属电极；

(9)在步骤(8)得到的样品上利用回刻工艺制备顶部悬空漏电极；

(10)在步骤(9)得到的样品上利用聚焦离子束诱导沉积出金属纳米线；

(11)在步骤(10)得到的样品上利用聚焦离子束辐照使所述金属纳米线弯曲并实现平面电极与三维悬空电极互联。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述微纳加工工艺为电子束曝光和/或紫外曝光。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述刻蚀工艺为湿法刻蚀或干法刻蚀。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述刻蚀工艺为湿法刻蚀或干法刻蚀。

5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为反应离子刻蚀和/或电感耦合等离子体反应离子刻蚀。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述微纳加工工艺为光刻和/或镀膜工艺。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述微纳加工工艺为光刻和/或镀膜工艺。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述光刻工艺为电子束曝光和/或紫外曝光；所述镀膜工艺为电子束蒸发和/或热蒸发。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述光刻工艺为电子束曝光和/或紫外曝光；所述镀膜工艺为电子束蒸发和/或热蒸发。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，所述微纳加工工艺为原子层沉积或有机金属气相沉积。

11.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，所述微纳加工工艺为原子层沉积或有机金属气相沉积。

12.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，所述微纳加工工艺为原子层沉积或有机金属气相沉积。

13.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，所述微纳加工工艺为所述微纳加工工艺为光刻和/或镀膜工艺。

14.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，所述微纳加工工艺为所述微纳加工工艺为光刻和/或镀膜工艺。

15.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，所述微纳加工工艺为所述微纳加工工艺为光刻和/或镀膜工艺。

16.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，所述微纳加工工艺为所述微纳加工工艺为光刻和/或镀膜工艺。