[发明专利]一种DLC连续镀膜生产线及镀膜工艺

权利要求书

1.一种DLC连续镀膜生产线，其特征在于，包括呈直线依次连接的进口室、进口缓冲室、进口过渡室、第一工艺室组、隔离室、第二工艺室组、出口过渡室、出口缓冲室和出口室，形成连通的直线通道，以及和所述直线通道平行间隔布置的回架组，所述第一工艺室组和第二工艺室组分别包括多个工艺室，所述回架组包括多个依次衔接的回架，所述生产线还包括前平移台和后平移台，前平移台和后平移台分别位于所述直线通道的两端，同时分别位于回架组的两端。

2.根据权利要求1所述的DLC连续镀膜生产线，其特征在于：第一工艺室组包括由进口过渡室至隔离室方向依次连接的工艺室一、工艺室二和工艺室三，第二工艺室组包括由隔离室至出口过渡室方向依次连接的工艺室四和工艺室五。

3.根据权利要求2所述的DLC连续镀膜生产线，其特征在于：所述生产线还包括将待镀膜的基片在所述直线通道进行传送的基片传送机构，基片传送机构包括基片架、多个磁导向和多个内传动轮，多个磁导向和多个内传动轮均匀间隔布置在进口室、进口缓冲室、进口过渡室、第一工艺室组、隔离室、第二工艺室组、出口过渡室、出口缓冲室和出口室内，沿着所述直线通道形成直线传送路径、磁导向位于内传动轮上方，装载基片的基片架位于多个磁导向和多个内传动轮之间、沿着所述直线通道运行。

4.根据权利要求3所述的DLC连续镀膜生产线，其特征在于：基片架垂直于水平面，基片架上端和磁导向非接触磁性连接，下端滑设在多个内传动轮上。

5.根据权利要求4所述的DLC连续镀膜生产线，其特征在于：内传动轮外表面沿着周向内凹，基片架下端接触并滑设在所述内凹表面上。

6.根据权利要求2所述的DLC连续镀膜生产线，其特征在于：所述生产线还包括抽真空机构，抽真空机构包括多个分子泵，进口缓冲室、进口过渡室、第一工艺室组、隔离室、第二工艺室组、出口过渡室、出口缓冲室上各设有一分子泵。

7.根据权利要求6所述的DLC连续镀膜生产线，其特征在于：抽真空机构还包括多个分子泵管道、多个波纹管、至少一主抽气管道和前级真空泵组，每个分子泵通过一波纹管连接一分子泵管道，多个分子泵管道并联连接后连接主抽气管道。

8.DLC镀膜生产工艺，所述生产工艺基于上述DLC连续镀膜生产线，其特征在于：包括两个依次进行、运行方向相反的流程：

第一流程：基片依次经过前平移台、进口室、进口缓冲室、进口过渡室、工艺室一、工艺室二、工艺室三、隔离室、工艺室四、工艺室五、出口过渡室、出口缓冲室、出口室和后平移台，在第一工艺室组和第二工艺室组完成多层镀膜；

第二流程：基片架在后平移台进行平移，至与回架处于同一传送直线后，传送到靠近后平移台的一个回架，然后在回架内被运送至前平移台，在前平移台上，镀过膜的基片被卸下基片架，待镀膜的基片装到基片架上，从前平移台进入进口室进行镀膜。

9.根据权利要求8所述的DLC镀膜生产工艺，其特征在于：基片在工艺室一内进行等离子清洗，基片在工艺室二、工艺室三、工艺室四和工艺室五内进行镀膜，膜厚及材料根据膜系设计选择。

10.根据权利要求9所述的DLC镀膜生产工艺，其特征在于：工艺室二的靶材为Ti靶、TiOx陶瓷靶、Si靶或Nb2Ox陶瓷靶，工艺室三的靶材为Si靶，工艺室四的靶材为C靶，工艺室五的靶材为Si靶。