[发明专利]EUV聚光设备和包括EUV聚光设备的光刻设备

权利要求书

1.一种极紫外聚光设备，包括：

主体，其具有凹陷内部并且被构造为旋转；

锡产生器，其被构造为产生锡滴并喷射所述锡滴；

锡捕获器，其被构造为处理喷射的所述锡滴；以及

保护盖，其被构造为阻止所述锡滴落入主体中。

2.根据权利要求1所述的极紫外聚光设备，还包括：

旋转导向件，其被构造为使所述主体旋转。

3.根据权利要求1所述的极紫外聚光设备，其中，

所述主体包括位于其中的腔体，并且

所述锡产生器被构造为喷射所述锡滴，使得所述锡滴暴露于已经穿过腔体的二氧化碳激光。

4.根据权利要求1所述的极紫外聚光设备，其中，

所述锡捕获器与所述锡产生器相对，并且

所述保护盖在所述锡产生器下方。

5.一种极紫外聚光设备，包括：

主体，其具有凹陷内部；

锡产生器，其被构造为产生锡滴并喷射所述锡滴；

锡捕获器，其被构造为处理喷射的所述锡滴；

保护盖，其被构造为阻止所述锡滴落入所述主体中；以及

所述保护盖下方的喷嘴架，所述喷嘴架与所述主体的内表面间隔开。

6.根据权利要求5所述的极紫外聚光设备，其中，

所述喷嘴架的外形包括符合所述主体的内表面的形状的曲面，并且

所述极紫外聚光设备被构造为调整所述喷嘴架与所述主体的内表面之间的距离。

7.根据权利要求5所述的极紫外聚光设备，其中，当从上方观察所述极紫外聚光设备时，所述保护盖至少部分地与所述喷嘴架重叠。

8.根据权利要求5所述的极紫外聚光设备，其中，所述喷嘴架包括喷射单元，其被构造为向所述主体的内表面喷射气体。

9.根据权利要求5所述的极紫外聚光设备，其中，所述喷嘴架包括吸入单元，其被构造为吸入所述主体的内表面上的污染物。

10.根据权利要求5所述的极紫外聚光设备，其中，所述喷嘴架包括电极单元，其被构造为在所述主体的内表面附近产生等离子体。

11.根据权利要求10所述的极紫外聚光设备，其中，

所述喷嘴架包括：包括所述电极单元的多个电极单元，并且

所述极紫外聚光设备被构造为单独地控制所述多个电极单元中的每一个。

12.根据权利要求11所述的极紫外聚光设备，还包括：

阻抗匹配网络，其电连接至所述多个电极单元中的每一个和所述主体的内表面，并且

其中，所述主体的内表面接地。

13.一种光刻设备，包括：

光源单元，其被构造为发射二氧化碳激光；

极紫外聚光设备，其被构造为将锡滴暴露于所述二氧化碳激光，产生极紫外光，并且会聚所述极紫外光；以及

翼单元，其被构造为提供所述极紫外光行进的路径，

其中，所述极紫外聚光设备包括：

主体，其具有凹陷内部并且被构造为旋转，

锡产生器，其被构造为产生所述锡滴并且喷射所述锡滴，

锡捕获器，其被构造为处理喷射的所述锡滴，以及

保护盖，其被构造为阻止所述锡滴落入所述主体中。

14.根据权利要求13所述的光刻设备，其中，

所述翼单元包括遮挡膜，其被构造为遮挡所述二氧化碳激光的至少一部分，并且

所述极紫外聚光设备还包括在所述保护盖下方并且与所述主体的内表面间隔开的喷嘴架。