[发明专利]仿生免修饰超疏水Cu-Zn-CeO2

权利要求书

1.一种仿生免修饰超疏水Cu-Zn-CeO₂层的制备方法，其特征在于，步骤为：

(1)电沉积溶液配置：将水溶性的铜盐溶液、水溶性的锌盐溶液分别与酒石酸钾钠混合，分别得到溶液A、溶液B，备用；然后将溶液A、溶液B混合后再加入氢氧化钠，最后加入纳米CeO₂，搅拌均匀，即得；

(2)利用电沉积技术将步骤(1)得到的电沉积溶液沉积在金属表面形成仿生微纳米复合结构Cu-Zn-CeO₂层；然后将该金属在室温条件下自然放置20-40天，即可；

所述溶液A中铜盐和酒石酸钾钠的浓度比为10-30g/L：100g/L；

所述溶液B中锌盐和酒石酸钾钠的浓度比为10-35g/L：100g/L；

所述氢氧化钠在A溶液、B溶液形成的混合溶液中的浓度为40-60g/L；

纳米CeO₂在A溶液、B溶液形成的混合溶液中的浓度为4-12g/L；所述纳米CeO₂的粒径在20-50nm之间。

2.如权利要求1所述的仿生免修饰超疏水Cu-Zn-CeO₂层的制备方法，其特征在于，所述水溶性的铜盐选自硫酸铜、氯化铜、硝酸铜中的任意一种或几种。

3.如权利要求1所述的仿生免修饰超疏水Cu-Zn-CeO₂层的制备方法，其特征在于，所述水溶性的锌盐选自硫酸锌、氯化锌、硝酸锌中的任意一种或几种。

4.如权利要求1所述的仿生免修饰超疏水Cu-Zn-CeO₂层的制备方法，其特征在于，步骤(1)中采用磁力搅拌的方式进行溶液的混匀，搅拌时间为10-20min。

5.如权利要求1-4任一项所述的仿生免修饰超疏水Cu-Zn-CeO₂层的制备方法，其特征在于，在室温条件下自然放置40天。

6.如权利要求1-4任一项所述的仿生免修饰超疏水Cu-Zn-CeO₂层的制备方法，其特征在于，利用电沉积技术将步骤(1)得到的电沉积溶液沉积在金属表面的方法为：将待沉积的金属和黄铜试样置于电沉积溶液中，以待沉积的金属作为阴极，黄铜试样作为阳极，两个电极之间的距离固定在2cm，温度为23-25℃，电压恒定为15.27V，电流密度为2-5A/dm²，电沉积时间为30-60min，沉积过程中电沉积溶液始终保持磁力搅拌状态，反应结束后清洗沉积完成的金属，即得。

7.如权利要求1-4任一项所述的仿生免修饰超疏水Cu-Zn-CeO₂层的制备方法，其特征在于，在电沉积之前还包括对待沉积的金属和黄铜试样进行清洗、活化的步骤。

8.如权利要求7所述的仿生免修饰超疏水Cu-Zn-CeO₂层的制备方法，其特征在于，所述清洗、活化的步骤方法为：先采用碱洗除油，然后酸洗活化，然后清洗干净，即得。

9.如权利要求8所述的仿生免修饰超疏水Cu-Zn-CeO₂层的制备方法，其特征在于，所述碱为NaOH、Na₂CO₃、Na₃PO₄和Na₂SiO₃的碱性混合溶液。

10.如权利要求8所述的仿生免修饰超疏水Cu-Zn-CeO₂层的制备方法，其特征在于，所述酸为稀硫酸。

11.权利要求1-10任一项所述的仿生免修饰超疏水Cu-Zn-CeO₂层的制备方法在金属表面疏水性改性中的应用。