[发明专利]单相逆变器的拓扑结构及调制方法、装置、存储介质

说明书

本发明公开了一种单相逆变器的调制方法，单相逆变器在预设的第一周期下工作时，根据SPWM法对所述第一开关器件以及所述第二开关器件进行调制，对所述第三开关器件以及所述第四开关器件进行基波频率调制；单相逆变器在预设的第二周期下工作时，对所述第一开关器件以及所述第二开关器件进行基波频率调制，根据SPWM法对所述第三开关器件以及所述第四开关器件进行调制。本发明实施例还公开一种单相逆变器的拓扑结构，采用多个实施例有效降低开关器件的损耗。

技术领域

本发明涉及逆变器技术领域，尤其涉及一种单相逆变器的拓扑结构及调制方法、装置、存储介质。

背景技术

在现有技术中，对于几十kW功率等级的单相逆变器，SPWM调制方式下的开关频率设计一般在20kHz左右，在对单相逆变器进行调制时，每个开关器件的动作频率很高，开关器件的损耗很大，从而降低电力系统的工作效率。

发明内容

本发明实施例提供一种单相逆变器的拓扑结构及调制方法、装置、存储介质，能有效降低开关器件的损耗。

本发明一实施例提供一种单相逆变器的拓扑结构，包括：直流电压输入端、直流滤波电感、直流母线电容、交流滤波电感、四个相同的开关器件及交流电压输出端；其中，第一开关器件均包括：第一可控开关管以及第一二极管，第二开关器件均包括：第二可控开关管以及第二二极管，第三开关器件均包括：第三可控开关管以及第三二极管，第四开关器件均包括：第四可控开关管以及第四二极管；

第一可控开关管的集电极与第一二极管的负极连接，第一可控开关管的发射极与第一二极管的正极连接；第二可控开关管的集电极与第二二极管的负极连接，第二可控开关管的发射极与第二二极管的正极连接；第三可控开关管的集电极与第三二极管的负极连接，第三可控开关管的发射极与第三二极管的正极连接；第四可控开关管的集电极与第四二极管的负极连接，第四可控开关管的发射极与第四二极管的正极连接；所述第二可控开关管的发射极与所述第四可控开关管的发射极连接，所述第一可控开关管的集电极以及所述第三可控开关管的集电极连接；

所述直流电压输入端的正极引脚通过所述直流滤波电感连接于所述第一可控开关管的发射极与所述第二可控开关管的集电极之间的中点，所述直流电压输入端的负极引脚连接所述第二可控开关管的发射极；

所述直流母线电容的第一端与所述第一可控开关管的集电极连接，所述直流母线电容的第二端与所述第二可控开关管的发射极连接；

所述交流电压第一输出端与通过所述交流滤波电感连接于所述第三可控开关管的发射极与所述第四可控开关管的集电极之间的中点，所述交流电压第二输出端连接于所述第一可控开关管的发射极与所述第二可控开关管的集电极之间的中点。

本发明另一实施例对应提供了一种单相逆变器的调制方法，应用于所述的单相逆变器的拓扑结构，包括：

当所述单相逆变器工作于预设的第一周期下，根据SPWM法对所述第一开关器件以及所述第二开关器件进行调制，所述第一开关器件采用第一调制信号，所述第二开关器件采用第二调制信号；其中，所述第二调制信号＝1-所述第一调制信号；

对所述第三开关器件以及所述第四开关器件进行基波频率调制，所述第三开关器件采用的第三调制信号为1，则所述第三开关器件始终处于闭合状态，所述第四开关器件采用的第四调制信号为0，则所述第四开关器件始终处于断开状态；其中，所述第四调制信号＝1-所述第三调制信号；

其中，所述预设的第一周期为ωt∈((2k-2)π,(2k-1)π],k＝1,2,3…，ω为单相逆变器的交流输出基波角频率，t为时间。

作为上述方案的改进，所述方法还包括：