[发明专利]热活化延迟荧光材料及其制备方法

说明书

本发明公开一种热活化延迟荧光材料，包括具有如式(I)所示结构的化合物:A‑D(I)，其中A是电子受体及D是电子给体。另外，本发明还公开热活化延迟荧光材料的制备方法和一种使用热活化延迟荧光材料作为荧光主体材料的有机发光二极管显示装置。有机发光二极管显示装置包括阳极、阴极以及位于阳极与阴极之间的有机功能层，有机功能层包括具有式(I)结构的热活化延迟荧光材料。

技术领域

本发明是有关于一种有机光电材料技术领域，特别是有关于一种热活化延迟荧光材料及其制备方法。

背景技术

发光客体材料是影响有机发光二极管显示装置发光效率的主要因素之一。有机发光二极管显示装置使用的发光客体材料为荧光材料，通常在有机发光二极管显示装置中的单重态和三重态的激子比例为1:3，因此有机发光二极管显示装置的内量子效率(internalquantum efficiency,IQE)只能达到25％，荧光电致发光器件的应用受到限制。重金属配合物磷光材料基于重原子的自旋轨道耦合作用，因此能够同时利用单重态和三重态激子而实现100％的内量子效率。然而，通常使用的重金属都是铱(Ir)、铂(Pt)或锇(Os)等贵重金属具有高毒性及高成本。另外，纯有机热活化延迟荧光材料具有较低的最低单三重态的能级差(Lowest single-triplet energy gap(ΔEST))，三重态激子可以通过反向系间窜越(reverse intersystem crossing,RISC)回到单重态，再通过辐射跃迁至基态而发光，从而能够同时利用单重态激子及三重态激子，也可以实现100％的内量子效率。

针对热活化延迟荧光材料，高反向系间窜越常数以及高的光致发光量子产率是制备高效率有机发光二极管显示装置的必要条件。目前，具备上述条件的热活化延迟荧光材料相对于重金属配合物而言还是比较缺乏。

发明内容

本发明实施例提供一种热活化延迟荧光材料，此种热活化延迟荧光材料能够降低最低单三重态的能级差，从而获得具有高发光效率的有机发光二极管显示装置。

本发明实施例的一种热活化延迟荧光材料，包括如式(I)所示的结构:

A-D(I)，

其中A是电子受体及D是电子给体，电子受体包括如下所示化学结构式的任意一种：

及以及电子给体包括如下所示化学结构式的任意一种：

及

在本发明实施例中，热活化延迟荧光材料包括如下所示化学结构式的其中一种：

及

本发明另一实施例提供一种热活化延迟荧光材料的制备方法，包括:S1混合氟苯甲酰氯化物和具有卤素取代基的含氮杂环化合物，得到混合物；S2在所述混合物中添加第一化合物，反应后得到化合物A-X，其中所述第一化合物具有以下结构式：

X为卤素，A包括如下所示化学结构式的任意一种：及添加化合物D-H，其中D包括如下所示化学结构式的任意一种：

及反应后得到一初产物；以及S3将初产物进行萃取干燥，得到热活化延迟荧光材料，其中热活化延迟荧光材料包括具有如式(I)所示结构的化合物:

A-D(I)。

在本发明实施例中，氟苯甲酰氯化物是4-氟苯甲酰氯。

在本发明实施例中，具有卤素取代基的含氮杂环化合物是4-氟-2-碘嘧啶。

在本发明实施例中，在步骤S2中，在添加第一化合物的同时还包括添加三氯化铝。

在本发明实施例中，热活化延迟荧光材料包括及

在本发明实施例中，在步骤S3中，萃取是使用二氯甲烷进行萃取。