[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置。一种半导体电路结构包括具有多个第一有源图案和第二有源图案的基板。电路元件的多个第一栅极图案可形成在第一有源图案上并且可彼此平行。去耦电容器的第二栅极图案形成在第二有源图案上。第一介电层位于基板上，并且第二介电层位于第一介电层的顶部。虚设栅极图案设置在至少两个第一有源图案之间的基板上，并且电源布线图案设置在直接设置在虚设栅极图案上方并与虚设栅极图案对准的第二介电层中或第二介电层底部。

技术领域

各种实施方式总体上涉及半导体装置，更具体地，涉及半导体电路装置的结构。

背景技术

随着电子半导体技术不断演进，对半导体装置的特性的要求水平逐渐增加。例如，随着诸如半导体存储器装置的半导体装置的组件不断缩小，对更大操作速度的要求也增加。然而，为了以更大的速度执行，还需要更大的可靠性。随着这些半导体装置的操作速度增加，还需要为这些装置提供极其稳定的电源的能力以便确保这些装置有效地操作。不幸的是，传统半导体装置常常无法提供这样稳定的电力。由于这一事实，难以确保这些半导体装置的可靠性。因此，需要一种方式来使半导体装置的电源电平稳定。

发明内容

本文公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：限定在基板中的多个有源图案；在横穿有源图案的同时在第一方向上延伸的栅极图案；以及设置在覆盖栅极图案的第一介电层上方并在第一方向上延伸的第一布线图案。第一布线图案包括：内部布线图案，其与第一垂直通孔联接，第一垂直通孔穿过第一介电层并且联接到有源图案和栅极图案；以及电源布线图案，其不与第一垂直通孔联接。第一布线图案依照沿着与第一方向交叉的第二方向以第一间距限定的虚拟布线图案轨迹对准，并且当在顶部看时有源图案设置在电源布线图案之间。

本文公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：基板，其在第一方向上限定有块区域和去耦电容器区域；电路元件，其包括在基板中限定在块区域内的多个第一有源图案以及在横穿第一有源图案的同时在第一方向上延伸的第一栅极图案；去耦电容器，其包括限定在基板的去耦电容器区域内的第二有源图案以及在第二有源图案上方的第二栅极图案；以及第一布线图案，其设置在覆盖电路元件和去耦电容器的第一介电层上方并且在第一方向上延伸。第一布线图案包括：内部布线图案，其与第一垂直通孔联接，所述第一垂直通孔在第一有源图案和第一栅极图案上方穿过第一介电层；以及电源布线图案，其未联接到第一垂直通孔。电源布线图案从块区域延伸到去耦电容器区域，并且电联接到第二有源图案和第二栅极图案中的任一个，并且其中，第一布线图案依照在与第一方向交叉的第二方向上以第一间距限定的虚拟布线图案轨迹对准，并且当在顶部看时第一有源图案不与电源布线图案交叠。

本文公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一基板和限定在第一基板上方的逻辑结构；以及第二基板和限定在第二基板上方的存储器单元阵列。逻辑结构包括：限定在第一基板中的多个有源图案；在横穿有源图案的同时在第一方向上延伸的栅极图案；以及第一布线图案，其设置在覆盖栅极图案的第一介电层上方并且在第一方向上延伸。第一布线图案包括：内部布线图案，其与第一垂直通孔联接，所述第一垂直通孔穿过第一介电层并且联接到有源图案和栅极图案；以及多个电源布线图案，其不与第一垂直通孔联接。第一布线图案依照在与第一方向交叉的第二方向上以第一间距限定的虚拟布线图案轨迹对准，并且当在顶部看时有源图案设置在多个电源布线图案之间。

附图说明

图1示出根据本公开的实施方式的存储器装置的框图。

图2示出根据本公开的实施方式的图1所示的存储块MB之一的示例。

图3是根据本公开的实施方式的半导体存储器装置的示例的横截面图。

图4是图3所示的逻辑结构的电路元件和去耦电容器的示例布局图。

图5是图3所示的逻辑结构的各种组件的示例布局图。

图6是图3所示的逻辑结构的各种组件的另一示例布局图。