[发明专利]银纳米线及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种银纳米线的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将银盐溶解在第一溶剂中，得到第一混合物，所述银盐选自三氟甲烷磺酸银、二乙基二硫代氨基甲酸银及丁二酰亚胺银盐中的至少一种，所述第一溶剂为水；

将晶种、还原剂、分散剂在48℃～72℃下溶解在第二溶剂中，得到第二混合物，所述晶种选自柠檬酸三银及四氟硼酸银中的至少一种，所述第二溶剂为水；及

将所述第一混合物与所述第二混合物以滴加的方式混合，调pH至8～8.5，固液分离，得到银纳米线。

2.根据权利要求1所述的银纳米线的制备方法，其特征在于，在制备所述银纳米线的原料中，所述银盐的重量份数为10份～20份，所述还原剂的重量份数为5份～10份，所述分散剂的重量份数为2份～8份，所述晶种的重量份数为0.1份～1份，所述第一溶剂和第二溶剂的重量份数之和为69份～82份。

3.根据权利要求1所述的银纳米线的制备方法，其特征在于，所述将晶种、还原剂、分散剂在48℃～72℃下溶解在第二溶剂中，得到第二混合物的步骤包括：

将所述晶种在48℃～72℃下溶解在所述第二溶剂中，得到预混物；及

将所述预混物、所述还原剂和所述分散剂在48℃～72℃下混合，得到第二混合物。

4.根据权利要求3所述的银纳米线的制备方法，其特征在于，所述将所述晶种在48℃～72℃下溶解在所述第二溶剂中，得到预混物的步骤中，溶解的方式为搅拌混合，搅拌转速为1200rpm～1800rpm，搅拌时间为12min～18min。

5.根据权利要求3所述的银纳米线的制备方法，其特征在于，所述将所述预混物、所述还原剂和所述分散剂在48℃～72℃下混合，得到第二混合物的步骤中，混合的方式为搅拌混合，搅拌转速为800rpm～1200rpm，搅拌时间为12min～18min。

6.根据权利要求1所述的银纳米线的制备方法，其特征在于，所述将银盐溶解在第一溶剂中，得到第一混合物的步骤中，溶解的方式为搅拌混合，搅拌转速为800rpm～1200rpm，搅拌时间为8min～12min。

7.根据权利要求1所述的银纳米线的制备方法，其特征在于，所述将所述第一混合物与所述第二混合物以滴加的方式混合的步骤包括：搅拌所述第二混合物，同时将所述第一混合物以48滴/分钟～72滴/分钟的速度滴加入所述第二混合物中。

8.根据权利要求1～7任一项所述的银纳米线的制备方法，其特征在于，所述调pH至8～8.5的步骤中，采用pH调节剂将所述第一混合物和所述第二混合物混合后得到的混合料的pH调至8～8.5，其中，所述pH调节剂选自羟基三乙基胺及氨丙基三乙氧基硅烷中的至少一种。

9.根据权利要求1～7任一项所述的银纳米线的制备方法，其特征在于，所述还原剂选自维生素B2、酪氨酸及1,2-十二烷二醇中的至少一种。

10.根据权利要求1～7任一项所述的银纳米线的制备方法，其特征在于，所述分散剂选自十二烷基苯磺酸钠及十二烷基硫酸钠中的至少一种。

11.一种银纳米线，其特征在于，由权利要求1～10任一项所述的银纳米线的制备方法制备得到。

12.根据权利要求11所述的银纳米线，其特征在于，所述银纳米线的长径比为800～1300，所述银纳米线的长度为20μm～30μm。

13.根据权利要求11所述的银纳米线，其特征在于，采用所述银纳米线制成的导电薄膜的耐弯折次数在500次以上。

14.权利要求11～13任一项所述的银纳米线在制备电子产品中的应用。