[发明专利]一种基于微结构的LCoS微显示器芯片的制备方法

权利要求书

1.一种基于微结构的LCoS微显示器芯片的制备方法，其特征在于：

步骤1、在硅基底片上采用CMOS工艺形成方形像素电极，然后用抛光工艺使电极层形成电极反射层；

步骤2、在上玻璃板的下表面溅射透明平面电极；

步骤3、分别对步骤1和步骤2制作好的硅基底片和平面电极玻璃基板进行清洗干燥；

步骤4、分别在硅基底片的上表面和平面电极玻璃基板的下表面旋涂PI取向液，完成取向后标记取向方向（取向）；

步骤5、在硅基底片的取向层上旋涂上光刻胶（涂胶）；

步骤6、将涂有光刻胶的片子放在平板加热台上烘干水份（前烘）；

步骤7、掩模板图案对准后对光刻胶进行紫外光曝光（曝光）；

步骤8、将曝光后的片子放在平板加热台上进行后烘处理（后烘）；

步骤9、将后烘结束的片子冷却后再在紫外光下进行全面曝光（全面曝光）；

步骤10、用对应的光刻胶显影液对光刻胶进行显影（显影）；

步骤11、清洗片子上的显影液，吹干后放在平板加热台上高温坚膜，得到微结构（坚膜）；

步骤12、将处理后的硅基底片与上玻璃板制作成空的液晶盒，灌满液晶后密封（制盒灌晶）；

步骤13、在液晶盒的上表面贴上一层偏振片，完成LCoS微显示器芯片的制作。

2.根据权利要求1所述的一种基于微结构的LCoS微显示器芯片的制备方法，其特征在于：所用的光刻胶包括负胶和反转胶。

3.根据权利要求1所述的一种基于微结构的LCoS微显示器芯片的制备方法，其特征在于：显影时间为1~3分钟并轻微晃动。

4.根据权利要求1所述的一种基于微结构的LCoS微显示器芯片的制备方法，其特征在于：坚膜温度为120℃~200℃。