[发明专利]一种新型连续打拿极的制作方法

权利要求书

1.一种新型连续打拿极的制作方法，其步骤包括：

1)首先绘制设计通道形状。微通道板有弯曲通道的，斜通道的，直通道的等；单通道电子倍增器有弯曲后像个喇叭的，有像麻花的等。这样设计的目的是通过通道的弯曲使正离子轰击通道壁而无法从输入端口出去破坏阴极。

2)用双光子光刻系统和丙烯酸酯光致抗蚀剂IP-DipTM直接3D打印出来通道，随后在氩气环境中将通道加热到450℃后降温。制作的材料不是放射性元素，目的是减少本底信号。

3)用原子层沉积技术在通道内制备电导层和二次电子发射层。

4)退火。

5)用高真空电阻蒸发镀膜设备在通道两端生长电极薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于通过双光子光刻和热诱导收缩3D打印可实现任意弯曲级联的通道。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于运用原子层沉积技术在通道内制备电导层和发射层可以实现连续打拿极所需的电导性和高增益。

4.如权利要求2所述的任意弯曲通道的连续打拿极，其特征在于通道有的像个喇叭，有的像麻花，有的像弹簧，有的像蛇，有的像蜂窝。

5.如权利要求2所述的双光子光刻和热诱导收缩，其特征在于进行3D打印的材料为耐高温的材料。

6.如权利要求3所述的电导层，其特征在于电导层的大小在1MΩ～10GΩ之间，材料可以选择AZO材料，ZnO：MgO材料，W：Al₂O₃材料，Mo：Al₂O₃材料等，总循环数在200～1000之间。

7.如权利要求3所述的发射层，其特征在于发射层材料为高二次电子发射系数材料，材料可以选择MgO材料，Al₂O₃材料等。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于用高真空电阻蒸发镀膜设备在通道两端生长电极薄膜。

9.如权利要求8所述电极薄膜，其特征在于导电，材料可以选择镍，镉，金，银等。