[发明专利]多晶硅膜的形成方法和成膜装置

权利要求书

1.一种多晶硅膜的形成方法，其具备如下工序：

在基板上形成非晶硅膜的工序；

在所述非晶硅膜上形成由非晶锗膜或非晶硅锗膜形成的覆盖层的工序；

对所述基板在第1温度下进行热处理，在所述非晶硅膜中形成硅的晶核的工序；

在形成所述晶核后，将所述覆盖层去除的工序；和，

对去除了所述覆盖层的所述基板在所述第1温度以上的第2温度下进行热处理，使所述晶核生长的工序。

2.根据权利要求1所述的多晶硅膜的形成方法，其中，形成所述覆盖层的工序是在形成所述非晶硅膜的工序之后、在不将所述基板暴露于大气的情况下连续地进行的。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅膜的形成方法，其中，所述第2温度高于所述第1温度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶硅膜的形成方法，其中，所述第1温度为450℃～550℃。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的多晶硅膜的形成方法，其中，去除所述覆盖层的工序是对所述覆盖层用稀氢氟酸蚀刻后、对所述覆盖层用过氧化氢水进行蚀刻的工序。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的多晶硅膜的形成方法，其中，在形成所述非晶硅膜的工序之前，具备在所述基板上形成晶种层的工序。

7.一种成膜装置，其具备：

处理容器，其用于收纳基板；

供给部，其用于向所述处理容器内供给硅原料气体、锗原料气体和蚀刻气体；

排气部，其用于将所述处理容器内排气；

加热部，其用于对所述基板进行加热；和，

控制部，

所述控制部控制所述供给部、所述排气部和所述加热部，使其执行如下工序：

向所述处理容器内供给所述硅原料气体，在所述基板上形成非晶硅膜的工序；

向所述处理容器内供给所述锗原料气体，在所述非晶硅膜上形成非晶锗膜，或向所述处理容器内供给所述硅原料气体和所述锗原料气体，在所述非晶硅膜上形成非晶硅锗膜，从而形成覆盖层的工序；

对所述非晶硅膜在第1温度下进行热处理，在所述非晶硅膜中形成硅的晶核的工序；

在形成所述晶核后，将所述覆盖层去除的工序；和，

对去除了所述覆盖层的所述基板在所述第1温度以上的第2温度下进行热处理，使所述晶核生长的工序。