[发明专利]发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.发光二极管，包括：

透明基板，具有相对的第一表面和第二表面，及连接该第一表面、第二表面的侧壁；

发光台面，形成于所述透明基板的第一表面之上，包括一发光外延叠层，该发光外延叠层自所述透明基板的第一表面堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；

支撑层，形成于所述发光外延叠层的外周边，与所述发光台面形成一平面，该平面的横截面积不低于所述透明基板的第一表面的横截面积；

第一电极，配置到该平面上，电连接到所述第一导电类型半导体层；

第二电极，配置到该平面上，电连接到所述第二导电类型半导体层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光台面包括一绝缘层，至少覆盖所述发光外延叠层的上表面及侧壁，并且具有第一开口和第二开口，所述第一电极通过第一开口电连接到所述第一导电类型半导体层，所述第二电极通过第二开口电连接到所述第二导电类型半导体层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层为绝缘性绝缘层，所述支撑层为有色材料层。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述支撑层为黑胶。

5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述支撑层具有一第三表面，与所述绝缘层的表面齐平，构成所述平面。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述支撑层至少部分覆盖所述透明基板的侧壁。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述支撑层具有一第四表面，与所述透明基板的第二表面齐平。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述支撑层覆盖在所述透明基板的侧壁的厚度为2~20μm。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极和第二电极为多层结构，底层为Cr、Al、Ti、Ni、Pt、Au金属材料中一种或多种叠层组合，表层为含Sn或者Au金属材料。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明基板的第一表面的边缘的边长介于200~300μm或100~200μm或40~100μm。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述有源层发射的光线从所述透明基板的第二表面射出，其出光角为135°以下。

12.发光二极管的制作方法，其特征在于，包括下面步骤：

（一）在一透明基板上的第一表面上形成发光台面，该发光台面包括一发光外延叠层，该发光外延叠层自所述透明基板的第一表面堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；

（二）制作支撑层，其形成于所述发光外延叠层的外周边，与所述发光台面形成一平面，该平面的横截面积不低于所述透明基板的第一表面的横截面积；

（三）在该平面上制作第一电极和第二电极，其中第一电极电连接到所述第一导电类型半导体层；第二电极电连接到所述第二导电类型半导体层。

13.根据权利要求12所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤（一）进一步包括：

（1）提供一外延结构，包括透明基板及发光外延叠层，该基板具有第一表面和第二表面，及连接该第一表面和第二表面的侧壁，该发光外延叠层形成在该透明基板的第一表面之上，包括自所述透明基板的第一表面堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；

（2）在所述发光外延叠层的表面定义出切割道，沿所述切割道将所述外延结构分割为一系列发光单元；

（3）扩大该系列发光单元之间的间距；

所述步骤（二）中在所述发光单元之间的填充材料层，其覆盖所述发光单元的侧壁，形成所述支撑层。