[发明专利]半导体装置组合件和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置组合件，其包括：

衬底，其具有第一侧和第二侧，所述衬底具有多个互补型金属氧化物半导体电路；

第一半导体装置，其直接连接到所述衬底的所述第一侧；

第二半导体装置，其直接连接到所述衬底的所述第一侧，其中所述衬底经配置以使得所述第一半导体装置和所述第二半导体装置能够通过所述衬底彼此通信；

重布层，其定位于所述衬底的所述第二侧上；及

多个互连件，其连接到所述重布层，其中所述重布层实现所述多个互连件与至少所述第一半导体装置之间的连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述多个互补型金属氧化物半导体电路提供用于所述第一半导体装置与所述第二半导体装置之间的数据传送的缓冲器。

3.根据权利要求2所述的半导体装置组合件，其中所述多个互补型金属氧化物半导体电路提供用以控制所述第一半导体装置与所述第二半导体装置之间的数据传送的逻辑。

4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述衬底是硅衬底，其经配置以将所述第一半导体装置和所述第二半导体装置连接到所述重布层。

5.根据权利要求4所述的半导体装置组合件，其中所述第一半导体装置是处理单元。

6.根据权利要求5所述的半导体装置组合件，其中所述处理单元进一步包括图形处理单元GPU或中央处理单元CPU。

7.根据权利要求6所述的半导体装置组合件，其中所述第二半导体装置是存储器装置。

8.根据权利要求7所述的半导体装置组合件，其中所述存储器装置进一步包括高带宽存储器装置。

9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括直接连接到所述硅衬底的所述第一侧的第三半导体装置，其中所述第三半导体装置是存储器装置且其中所述第一半导体装置和所述第三半导体装置通过所述硅衬底彼此通信。

10.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述衬底的所述第一侧包括后段工艺BEOL层且其中所述第一半导体装置和所述第二半导体装置直接连接到所述BEOL层。

11.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其包括穿过所述衬底的多个通孔，其中所述多个通孔将所述BEOL层电连接到所述重布层。

12.一种半导体装置组合件，其包括：

硅衬底，其具有第一侧和第二侧，所述硅衬底具有互补型金属氧化物半导体电路，且所述第一侧包含后段工艺BEOL层；

图形处理单元GPU或中央处理单元CPU，其直接连接到所述硅衬底的所述BEOL层；及

多个存储器装置，其直接连接到所述硅衬底的所述BEOL层，其中所述GPU或CPU及所述多个存储器装置通过所述硅衬底彼此通信。

13.根据权利要求12所述的半导体装置组合件，其中所述互补型金属氧化物半导体电路提供用于所述GPU或CPU与所述多个存储器装置之间的数据传送的缓冲器。

14.根据权利要求12所述的半导体装置组合件，其中所述多个存储器装置包括至少两个高带宽存储器装置。

15.根据权利要求12所述的半导体装置组合件，其包括所述硅衬底的所述第二侧上的重布层，所述重布层连接到多个焊球。

16.根据权利要求15所述的半导体装置组合件，其进一步包括穿过所述硅衬底的至少一个通孔，所述至少一个通孔将所述BEOL层电连接到所述重布层。