[发明专利]一种任意入射条件下电光晶体相位延迟分析方法在审
| 申请号： | 201911066834.1 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN110908147A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 杜小平;张朋;赵继广 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军战略支援部队航天工程大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 101416*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 任意 入射 条件下 电光 晶体 相位 延迟 分析 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种任意入射条件下电光晶体相位延迟分析方法，其特征在于，采用解析表达式求解各个参数，包含如下步骤：
第一步：基于折射率椭球理论确定外电场作用下电光晶体的感应主折射率；
第二步：利用第一步得到的感应主折射率值，基于电磁波理论确定任意入射条件下折射光波的折射率；
第三步：利用第二步得到的折射率计算任意入射条件下折射光波矢量、光线矢量；
第四步：利用第三步的结果，计算快光和慢光在电光晶体内传播的光程长，得到二者的相位延迟。
2.如权利要求1所述的一种任意入射条件下电光晶体相位延迟分析方法，其特征在于，入射光线的方向由入射角和方位角确定。
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