[发明专利]载体基板及使用该载体基板制造半导体封装件的方法

说明书

本发明提供一种载体基板及使用该载体基板制造半导体封装件的方法，所述载体基板包括芯层以及至少一个单元图案部，并且所述单元图案部包括：第一金属层，设置在所述芯层上；释放层，设置在所述第一金属层上；第二金属层，设置在所述释放层上；以及第三金属层，设置在所述第二金属层上并且覆盖所述释放层的侧表面。

本申请要求于2018年11月8日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0136703号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过其整体引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及一种包括有机中介体的半导体封装件。

背景技术

由于设备(set)已被设计为具有高规格和高带宽存储器(HBM)，因此中介体市场已经增长。通常，硅已被用作中介体的材料，但是已经研发了玻璃中介体或有机中介体以具有大面积以及降低成本。

为了响应近来的数十微米的精细垫(pad，或称为“焊盘”)节距，已需要将芯片到芯片的精细电路线小型化到几微米，为此，可能需要平坦度在其中被确保的载体。

另外，在使用载体制造包括中介体的半导体封装件的工艺的情况下，中介体形成为具有面板尺寸，并且该工艺以方形尺寸执行以提高封装工艺的质量。然而，载体可能在按方形尺寸锯切面板期间分离。为了解决该问题，可能需要可防止分离的设计。

发明内容

本公开的一方面提供一种基于防分离设计的载体基板，以及使用所述载体基板制造半导体封装件的方法，这可解决在工艺期间释放层与载体基板异常分离的问题。

根据本公开的一方面，一种载体基板包括：芯层；以及至少一个单元图案部，并且所述单元图案部包括：第一金属层，设置在所述芯层上；释放层，设置在所述第一金属层上；以及第三金属层，设置在所述释放层上并且覆盖所述释放层的侧表面。

所述载体基板还可包括；基底金属层，设置在所述芯层和所述单元图案部之间，并且所述基底金属层在所述芯层上的面积大于所述单元图案部在所述芯层上的面积。

所述基底金属层可包括Ti组分。

所述第一金属层可包括Cu组分。

所述第三金属层可包括Cu组分。

所述第一金属层和所述释放层可具有相同的宽度。

所述第三金属层的覆盖所述释放层的所述侧表面的区域可与所述第一金属层的侧表面接触。

所述释放层可被所述第一金属层和所述第三金属层密封。

所述载体基板还可包括第二金属层，所述第二金属层设置在所述释放层上，使得所述释放层设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间。

所述第二金属层可包括Ti组分。

所述第一金属层、所述释放层和所述第二金属层可具有相同的宽度。

所述第二金属层的侧表面可被所述第三金属层覆盖。

所述第三金属层的覆盖所述释放层的所述侧表面和所述第二金属层的所述侧表面的区域可与所述第一金属层的侧表面接触。

所述释放层和所述第二金属层可被所述第一金属层和所述第三金属层密封。

所述芯层可以是玻璃板。