[发明专利]绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，包括第一导电类型的漂移区、所述漂移区上第二导电类型的体区，所述体区内的阴极第一导电类型区和阴极第二导电类型区，所述漂移区上的阳极第二导电类型区，第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；其特征在于，还包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区，所述第三区设于所述第四区和所述体区之间，所述第一区设于所述第四区下方，所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间；所述阴极第一导电类型区、阴极第二导电类型区、阳极第一导电类型区和阳极第二导电类型区是同一横向器件中的结构。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，还包括第二导电类型的衬底和所述衬底上的埋氧层，所述漂移区设于所述埋氧层上。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，还包括设于所述体区和阳极第二导电类型区之间的场氧层。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第三区距体区的距离小于所述第四区距体区的距离。

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第二区距体区的距离小于所述第一区距体区的距离。

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述体区的掺杂浓度比所述阴极第二导电类型区的掺杂浓度低一个数量级。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一导电类型是N型，所述第二导电类型是P型。

8.根据权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，还包括第一导电类型的缓冲层，所述阳极第一导电类型区和阳极第二导电类型区设于所述缓冲层内。

9.根据权利要求8所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述缓冲层的掺杂浓度比所述第二区的掺杂浓度低一个数量级、比所述第一区的掺杂浓度高一个数量级。

10.根据权利要求8或9所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管等效于具有第一三极管和第二三极管；

所述第一三极管的集电极包括所述体区，基极包括所述漂移区、缓冲层及第一区，发射极包括所述第四区；

所述第二三极管的集电极包括所述体区，基极包括所述漂移区、缓冲层及第二区，发射极包括所述第三区。