[发明专利]一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法

说明书

本发明公开了一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，所述选择性化学沉银是指在DBC图形形成后，通过二次干膜把需要沉银的区域显现出来，不需要沉银的区域用干膜覆盖住；所述二次干膜包含如下步骤：第二次干膜，曝光，显影，沉银和去膜；在所述第二次干膜步骤后，曝光步骤前，对间距开窗；所述间距开窗是指：所述间距开窗是指：若两相邻铜箔图形之间的间距上的干膜存在孔隙，则开窗；若两相邻铜箔图形之间的间距上的干膜处于完全封闭状态，则不开窗。通过二次干膜曝光时在原干膜覆盖的间距处开窗及控制沉银厚度和化学沉银之后清洗流程来解决DBC基板选择性化学沉银时出现的板面污染、铜面氧化及银层脱落不良问题。

技术领域

本发明涉及一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，属于半导体制造、LED、光通讯领域，特别适用于半导体制冷器、LED、功率半导体等的DBC基板制造。

背景技术

DBC基板用于功率器件封装时，需要在铜箔表面组装元器件，有些区域需要锡焊接，而有些区域需要打铝线。用化学沉银对铜箔进行表面处理可以有很好的焊锡性，但不适合打铝线，所以要同时提高可焊锡性和打铝线性能，就需要对焊锡的区域进行选择性化学沉银，而其它区域仍保持为铜面。

选择性化学沉银需要在DBC图形形成后(第一次干膜→曝光→显影→蚀刻→去膜)，通过二次干膜(第二次干膜→曝光→显影→沉银→去膜)把需要沉银的区域显现出来，不需要沉银的区域用干膜覆盖住。但在实际生产中存在两个问题：

1、由于图形已经形成，二次干膜在显影时，铜箔图形之间的间距被干膜覆盖住容易藏有药水，在化学沉银时药水会流出来污染板面和沉银设备。如用湿膜来解决，容易产生显影不净与去膜不净不良。

2、二次干膜在沉银后去膜，铜面容易氧化，后续还有切割与检验等工序，随着时间加长氧化现象会加重。而用化学溶液去除氧化时如果沉银厚度偏簿，溶液会渗过银层而攻击铜面造成银层脱落不良。

发明内容

本发明提供一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，通过二次干膜曝光时在原干膜覆盖的间距处开窗及控制沉银厚度和化学沉银之后清洗流程来解决DBC基板选择性化学沉银时出现的板面污染、铜面氧化及银层脱落(后续简称peeling)不良问题。

本发明的技术方案是：一种DBC基板选择性化学沉银的表面处理方法，所述选择性化学沉银是指在DBC图形形成后，通过二次干膜把需要沉银的区域显现出来，不需要沉银的区域用干膜覆盖住；

所述二次干膜包含如下步骤：第二次干膜，曝光，显影，沉银和去膜；在所述第二次干膜步骤后，曝光步骤前，对间距开窗；所述间距开窗是指：所述间距开窗是指：若两相邻铜箔图形之间的间距上的干膜存在孔隙，则开窗；若两相邻铜箔图形之间的间距上的干膜处于完全封闭状态，则不开窗。

进一步的，所述间距开窗的开窗宽度a＝(1/3～1/2)b，b为间距宽度；开窗长度沿整个间距长度。

进一步的，所述沉银的厚度为0.3～0.6微米。

进一步的，在二次干膜中的去膜步骤后，添加如下步骤：烘干→除油→微蚀→烘干→抗氧化→烘干→切割→清洁→异丙醇浸泡→烘干。

进一步的，所述微蚀工艺微蚀量管控在0.5-1微米。

进一步的，所述DBC图形形成的方法，包含如下步骤：第一次干膜，曝光，显影，蚀刻和去膜。

本发明的有益效果是：

1、二次干膜曝光时在干膜覆盖的间距处开窗，释放间距处的药水，解决在化学沉银时药水会流出来污染板面和沉银设备的问题，保证了板面和沉银设备的干净清洁。

2、选择0.3～0.6微米沉银厚度保证清洗铜面时银层不会peeling。