[发明专利]标准单元

权利要求书

1.一种标准单元，包括：

具有第一导电类型的第一垂直场效应晶体管，其中，所述第一垂直场效应晶体管包括第一沟道区域，所述第一沟道区域在垂直于衬底的上表面的垂直方向上从所述衬底突出，并且所述第一沟道区域在垂直于所述垂直方向的第一水平方向上具有第一长度；

具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二垂直场效应晶体管，其中，所述第二垂直场效应晶体管包括第二沟道区域，所述第二沟道区域在所述垂直方向上从所述衬底突出，并且所述第二沟道区域在所述第一水平方向上具有第二长度；以及

具有所述第一导电类型的第三垂直场效应晶体管，其中，所述第三垂直场效应晶体管包括在所述垂直方向上从所述衬底突出的第三沟道区域，

其中，所述第一沟道区域、所述第二沟道区域和所述第三沟道区域在所述第一水平方向上彼此间隔开，并且沿着所述第一水平方向顺序地布置，

其中，所述第二长度大于所述第一长度的1.5倍。

2.根据权利要求1所述的标准单元，其中，所述第三沟道区域在所述第一水平方向上具有第三长度，所述第三长度等于所述第一长度。

3.根据权利要求1所述的标准单元，其中，所述第二长度大于所述第一长度的2倍。

4.根据权利要求1所述的标准单元，所述标准单元还包括公共栅极层，所述公共栅极层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分包括所述第一垂直场效应晶体管的第一栅电极，所述第二部分包括所述第二垂直场效应晶体管的第二栅电极，所述第三部分包括所述第三垂直场效应晶体管的第三栅电极。

5.根据权利要求1所述的标准单元，其中，所述第一垂直场效应晶体管还包括所述衬底中的第一底部源/漏区，所述第三垂直场效应晶体管还包括所述衬底中的第三底部源/漏区，

其中，所述第一底部源/漏区和所述第三底部源/漏区被构造为连接到具有第一电压的第一电源。

6.根据权利要求1所述的标准单元，所述标准单元还包括：

第一底部接触，所述第一底部接触沿着与所述第一垂直场效应晶体管相邻的第一单元边界延伸；以及

第二底部接触，所述第二底部接触沿着与所述第三垂直场效应晶体管相邻的第二单元边界延伸，

其中，所述第一底部接触和所述第二底部接触在所述第一水平方向上彼此间隔开，并且在垂直于所述垂直方向并横穿所述第一水平方向的第二水平方向上纵向延伸，

其中，所述第一底部接触和所述第二底部接触被构造为接收具有第一电压的第一电源。

7.根据权利要求1所述的标准单元，其中，所述标准单元包括与所述第一垂直场效应晶体管相邻的第一单元边界和与所述第三垂直场效应晶体管相邻的第二单元边界，并且所述第一单元边界和所述第二单元边界在所述第一水平方向上彼此间隔开，

其中，所述第二沟道区域包括在所述第一水平方向上与所述第一单元边界和所述第二单元边界均等距的部分。

8.一种标准单元，包括：

第一垂直场效应晶体管，所述第一垂直场效应晶体管包括第一沟道区域，所述第一沟道区域在垂直于衬底的上表面的垂直方向上从所述衬底突出；

第二垂直场效应晶体管，所述第二垂直场效应晶体管包括第二沟道区域，所述第二沟道区域在所述垂直方向上从所述衬底突出；以及

第三垂直场效应晶体管，所述第三垂直场效应晶体管包括第三沟道区域，所述第三沟道区域在所述垂直方向上从所述衬底突出，

其中，所述第一沟道区域、所述第二沟道区域和所述第三沟道区域在垂直于所述垂直方向的第一水平方向上彼此间隔开，并且沿着所述第一水平方向顺序地布置，

其中，所述标准单元还包括与所述第一垂直场效应晶体管相邻的第一单元边界以及与所述第三垂直场效应晶体管相邻的第二单元边界，并且所述第一单元边界和所述第二单元边界在所述第一水平方向上彼此间隔开，

其中，所述第二沟道区域包括在所述第一水平方向上与所述第一单元边界和所述第二单元边界均等距的部分。