[发明专利]半导体衬底

权利要求书

1.一种功率半导体模块装置，包括半导体衬底(10)，所述半导体衬底(10)包括：

电介质绝缘层(110)；以及

附接到所述电介质绝缘层(110)的第一金属化层(111)；其中

所述电介质绝缘层(110)包括具有处于25至180W/mK之间的导热率和处于15至50kV/mm之间的绝缘强度的第一材料(40)、和第二导电或半导电材料(41)，其中，所述第二材料(41)均匀分布在所述第一材料(40)内。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块装置，其中，所述电介质绝缘层(110)包括第一量的所述第一材料(40)和第二量的所述第二材料(41)，并且其中，所述第一量大于所述第二量。

3.根据权利要求2所述的功率半导体模块装置，其中，所述电介质绝缘层(110)中的所述第二材料(41)的量小于10％。

4.根据权利要求2所述的功率半导体模块装置，其中，所述电介质绝缘层(110)中的所述第二材料(41)的量在5％至10％之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体模块装置，其中，所述第一材料(40)包括Al₂O₃、AlN和Si₃N₄中的一种。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的功率半导体模块装置，其中，所述第二材料(41)包括ZrN、ZrO₂和石墨中的至少一种。

7.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块装置，其中，所述第二材料(41)包括具有小于100μm或小于1μm的颗粒尺寸的颗粒。

8.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块装置，其中，

所述电介质绝缘层(110)包括第一长度(l)、第一宽度(w)和第一高度(h)，由此形成第一体积(V)，其中，所述第一高度(h)对应于所述第一金属化层和所述第二金属化层(111、112)之间的距离，并且

所述第二材料(41)均匀地分布在整个所述第一体积(V)中。

9.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块装置，其中，所述第一材料(40)具有第一比电阻，并且所述第二材料(41)具有第二比电阻，并且其中，所述第二比电阻小于所述第一比电阻。

10.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块装置，其中，所述第一金属化层(111)是仅部分地覆盖所述电介质绝缘层(110)的第一表面的结构化金属化层。

11.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块装置，其中，所述半导体衬底(10)还包括附接到所述电介质绝缘层(110)的第二金属化层(112)，其中，所述电介质绝缘层(110)设置在所述第一金属化层和所述第二金属化层(111、112)之间。

12.根据权利要求11所述的功率半导体模块装置，其中，所述第二金属化层(112)被配置为附接到基板或散热器(30)。

13.根据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块装置，还包括安装到所述第一金属化层(111)的至少一个半导体主体(20)。