[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括多个开口区和围绕所述开口区的非开口区；

位于所述衬底上的多个彼此间隔的第一电极，所述第一电极在所述衬底上的垂直投影位于所述开口区内；

位于所述衬底的所述非开口区内的第一像素定义层和第二像素定义层，所述第一像素定义层位于所述第二像素定义层和所述衬底之间，所述第一像素定义层在所述衬底上的垂直投影位于所述第二像素定义层在所述衬底上的垂直投影之内；

位于在所述第一电极上的多个发光功能层，相邻两个所述开口区对应的至少一个所述发光功能层被所述第一像素定义层隔断；

位于在所述发光功能层上的第二电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

位于相邻两个所述开口区内，且被所述第一像素定义层隔断的所述发光功能层包括空穴注入层；或者

位于相邻两个所述开口区内，且被所述第一像素定义层隔断的所述发光功能层包括空穴注入层和空穴传输层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素定义层的厚度大于或等于10nm，且小于或等于60nm。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素定义层靠近所述开口区的侧壁与所述衬底所在平面的夹角为锐角。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素定义层靠近所述开口区的侧壁与所述衬底所在平面的夹角小于45°。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

针对于同一蚀刻工艺，所述第一像素定义层的材料的被蚀刻速率高于所述第二像素定义层的材料的被蚀刻速率。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一像素定义层的材料为SiN，所述第二像素定义层的材料为SiO₂；或者，

所述第一像素定义层的材料为SiO₂，所述第二像素定义层的材料为SiN；或者，

所述第一像素定义层的材料为a-Si或Al₂O₃，所述第二像素定义层的材料为SiO₂、SiN或SiON。

8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法用于制作权利要求1-7任一项所述的阵列基板；

所述阵列基板的制作方法包括：

提供衬底，所述衬底包括多个开口区和围绕所述开口区的非开口区；

在所述衬底上形成多个彼此间隔的第一电极，所述第一电极在所述衬底上的垂直投影位于所述开口区内；

在所述衬底的所述非开口区内形成第一像素定义层和第二像素定义层，所述第一像素定义层位于所述第二像素定义层和所述衬底之间，所述第一像素定义层在所述衬底上的垂直投影位于所述第二像素定义层在所述衬底上的垂直投影之内；

在所述第一电极上的形成多个发光功能层，相邻两个所述开口区对应的至少一个所述发光功能层被所述第一像素定义层隔断；

在所述发光功能层上形成第二电极。