[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201911055136.1 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN110752224B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 王纯阳;王和金;李良坚;刘政 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L31/0236;H01L31/20 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 李欣 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,该显示面板,包括:衬底基板;设于衬底基板上的有机功能膜层;设于有机功能膜层上的绝缘层,绝缘层背离有机功能膜层的一侧设有多个间隔分布的凹坑;设于绝缘层背离有机功能膜层一侧的非晶硅太阳能电池膜层,非晶硅太阳能电池膜层与绝缘层设有凹坑的表面具有相同形貌。该显示面板中,有机功能膜层上的绝缘层的表面设置多个间隔分布的凹坑,太阳能电池膜层依照该具有凹坑的表面设置且与该具有凹坑的表面具有相同的形貌,形成多个宽深比较小的凹坑结构,有效提高非晶硅太阳能电池膜层的降反效果,实现更好的非晶硅电池膜层降反射效果,且可以提高非晶硅电池膜层的光电转换效率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
在显示领域内,在显示屏出光面表面集成太阳能电池技术实现低功耗和整机体积减小,并且通过对电池膜层表面制绒实现对太阳能电池反射效率的降低,从而可以取代圆偏光片实现显示屏模组厚度降低,目前对太阳能电池膜层表面制绒是在PIN电池下电极(可以为金属Mo),进行打孔制绒,然后接着制备PIN电池膜层和上电极ITO,可以实现对下电极降反膜层的复制,从而降低其反射率,但是,但是PIN电池的下电极金属厚度有限,打孔深度受到限制,而打孔的宽度较大,造成制绒孔洞的宽深比太大,起到的降反效果较差,因此,现在亟需研究如何提高显示屏的降反效果。
发明内容
本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,该显示面板中,在有机功能膜层上的绝缘层的表面设置多个间隔分布的凹坑,以对绝缘层的该表面制绒,且位于绝缘层上的太阳能电池膜层依照该具有凹坑的表面的形貌设置并与该表面具有相同的形貌,形成多个宽深比较小的凹坑结构,有效提高非晶硅太阳能电池膜层的降反效果,实现更好的非晶硅电池膜层降反射效果,且可以提高非晶硅电池膜层的光电转换效率。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种显示面板,包括:
衬底基板;
设于所述衬底基板上的有机功能膜层;
设于所述有机功能膜层上的绝缘层,所述绝缘层背离所述有机功能膜层的一侧设有多个间隔分布的凹坑;
设于所述绝缘层背离所述有机功能膜层一侧的非晶硅太阳能电池膜层,所述非晶硅太阳能电池膜层与所述绝缘层设有所述凹坑的表面具有相同形貌。
上述显示面板中,衬底基板上设置有用于发光并用于实现显示功能的有机功能膜层,在有机功能膜层上设置有绝缘层,在绝缘层背离有机功能膜层的一侧的表面设置有多个间隔分布的凹坑,多个凹坑间隔的分布于绝缘层的整个表面,相当于对该表面进行制绒处理,使绝缘层具有凹坑的表面可以形成制绒表面,非晶硅太阳能电池膜层设置在绝缘层上,且非晶硅太阳能电池膜层沿绝缘层的制绒表面的形貌设置,可以完全复制绝缘层的制绒表面的形貌,即非晶硅太阳能电池膜层具有与绝缘层的制绒表面具有相同的形貌,非晶硅太阳能电池膜层背离绝缘层的一侧形成与上述凹坑一一对应的凹坑结构,可以有效降低非晶硅太阳能电池膜层对环境光的反射率,省去在显示面板表面设置圆偏光片,实现显示面板厚度降低,另外,由于是在绝缘层上设置凹坑形成的制绒表面,且绝缘层的厚度较大,比非晶硅太阳能电池膜层的厚度大,可以加深凹坑的深度,则凹坑的宽深比可以比较小,则使非晶硅太阳能电池膜层的凹坑结构的宽深比较小,且凹坑结构的宽深比越小,非晶硅太阳能电池膜层对环境光的降反(降低反射率)的效果越好,则,将凹坑设置在绝缘层,使非晶硅太阳能电池膜层上形成宽深比较小的凹坑结构,可以有效提高非晶硅太阳能电池膜层的降反效果,使非晶硅太阳能电池膜层具有更好的降反效果,并且,非晶硅太阳能电池膜层沿绝缘层的制绒表面形貌设置,有效增大了在显示面板出光侧的表面的设置面积,可以提高非晶硅太阳能电池膜层的光电转换效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的