[发明专利]具有不同宽度的源极与漏极触点的半导体装置

说明书

一种具有不同宽度的源极与漏极触点的半导体装置包括基板中的主动区域。主动区域在第一方向上延伸。半导体装置进一步包括栅极结构，该栅极结构在与第一方向不同的第二方向上延伸。栅极结构跨主动区域延伸。半导体装置进一步包括多个源极/漏极触点，该多个源极/漏极触点在第二方向上延伸并且在栅极结构的相对侧上重叠主动区域中的多个源极/漏极区域。多个源极/漏极触点的第一源极/漏极触点具有第一宽度，并且多个源极/漏极触点的第二源极/漏极触点具有小于第一宽度的第二宽度。

技术领域

本案是关于一种具有源极与漏极触点的半导体装置，特别是关于一种具有不同宽度的源极与漏极触点的半导体装置。

背景技术

半导体工业正产生用于可携式电子设备(诸如个人计算机、蜂巢电话及数字摄影机应用)的更小且更快的电子元件。为了产生这些元件，半导体制造商致力于产生低成本、高效能、及低功率的集成电路。大部分通过按比例缩小电路部件的大小来产生更小且更快的电子元件。

发明内容

根据本案的一实施方式是提供一种具有不同宽度的源极与漏极触点的半导体装置，其特征在于，半导体装置包括基板中的主动区域。主动区域在第一方向上延伸。半导体装置进一步包括在与第一方向不同的第二方向上延伸的栅极结构。栅极结构跨主动区域延伸。半导体装置进一步包括多个源极/漏极触点，源极/漏极触点在第二方向上延伸并且在栅极结构的相对侧上重叠主动区域中的多个源极/漏极区域。多个源极/漏极触点的第一源极/漏极触点具有第一宽度，并且多个源极/漏极触点的第二源极/漏极触点具有小于第一宽度的第二宽度。

附图说明

当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本案的一实施例的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各个特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增大或减小各个特征的尺寸。

图1A是根据一实施例的半导体装置的布局图；

图1B至图1D是根据一实施例的具有图1A的布局的半导体装置的视图；

图2A是根据一实施例的半导体装置的布局图；

图2B至图2D是根据一实施例的具有图2A的布局的半导体装置的视图；

图3A是根据一实施例的半导体装置的布局图；

图3B至图3D是根据一实施例的具有图3A的布局的半导体装置的视图；

图4是根据一实施例的用于设计半导体装置布局的系统的示意图；以及

图5是根据一实施例的半导体装置制造系统的方块图。

【符号说明】

100、200、300 布局

100A、200A、300A 半导体装置

102A 基板

104 隔离结构布局图案

104A 隔离结构

110 主动区域布局图案

110A 主动区域

112 源极/漏极区域布局图案

112A 源极/漏极区域

120 栅极布局图案

120A 栅极结构

132-1/132 标记的源极/漏极触点布局图案

132-2/132 未标记的源极/漏极触点布局图案

132A-1/132A 源极/漏极触点

132A-2/132A 源极/漏极触点