[发明专利]检测装置

说明书

本发明提供一种检测装置，目的在于提高抗噪性。该检测装置具有：半导体基板；检测部，其设置于所述半导体基板的上方，输出与物理量对应的信号；以及噪声抑制层，其设置于所述检测部的下方的所述半导体基板内，或所述检测部与所述半导体基板之间。

技术领域

本发明涉及湿度检测装置等检测装置。

背景技术

作为检测装置，例如湿度检测装置有将湿敏膜用作电介质的静电电容式的湿度检测装置，其中，湿敏膜由介电常数根据吸收的水分量而变化的高分子材料形成。在该静电电容式的湿度检测装置中，在电极间配置湿敏膜，通过测定该电极间的静电电容来求出湿度(相对湿度)(例如，参照专利文献1)。

在专利文献1所记载的湿度检测装置中，在基板上并设有静电电容根据湿度变化的传感器部、进行将从传感器部输出的电荷变换为电压的处理等的电路部。

作为用于这样的静电电容式的湿度检测装置的电路部，已知通过电荷放大器将从传感器部输出的电荷变换为电压的结构(例如，参照专利文献2)。在该电路部中，除了电荷放大器外，还设有通过矩形波的交流驱动信号驱动传感器部的驱动电路等。

在专利文献1所记载的湿度检测装置中，并设有传感器部和电路部，但从小型化、低成本化的要求出发，设想将传感器部和电路部设为芯片状，在电路部上安装传感器部的层叠结构。

在将传感器部和电路部并设的情况下，由于两者相分离，因此两者间传递的噪声的影响较小，但设为层叠结构的情况下，传感器部和电路部接近，因此可能有噪声的影响。

尤其，如上所述，从电路部通过交流驱动信号驱动传感器部的情况下，在传感器部和电路部的双方有可能产生较大的噪声，因此希望能够提高抗噪性。

专利文献1：日本专利第5547296号

专利文献2：日本专利第6228865号

发明内容

本发明的目的在于提高抗噪性。

公开的技术为检测装置，该检测装置具有：半导体基板；检测部，其设置于所述半导体基板的上方，输出与物理量对应的信号；以及噪声抑制层，其设置于所述检测部的下方的所述半导体基板内，或所述检测部与所述半导体基板之间。

根据本发明，能够实现抗噪性的提高。

附图说明

图1是举例表示第一实施方式的湿度检测装置的概要结构的图。

图2是概要性地表示沿图1中的A-A线的断面的断面图。

图3是去除了模制树脂的状态下的湿度检测装置的平面图。

图4是表示传感器芯片的结构的概要平面图。

图5是举例表示ESD保护电路的结构的电路图。

图6是举例表示构成ESD保护电路的NMOS晶体管的层构造的图。

图7是举例表示湿度检测部的结构的电路图。

图8是用于说明传感器芯片的元件构造的概要断面图。

图9是举例表示下部电极以及上部电极的形状的平面图。

图10是举例表示ASIC芯片的结构的图。

图11是说明测定序列的时序图。

图12是用于说明第二实施方式的传感器芯片的元件结构的概要断面图。

图13是用于说明第三实施方式的传感器芯片的元件结构的概要断面图。

图14是去除了模制树脂的状态下的湿度检测装置的平面图。