[发明专利]一种随机编码方法及固态硬盘有效
申请号: | 201911052516.X | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN110827902B | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 张吉兴;武艺;李东起;杨亚飞;李卫军 | 申请(专利权)人: | 深圳大普微电子科技有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G11C27/04;G11C29/38 |
代理公司: | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人: | 孟丽平 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 随机 编码 方法 固态 硬盘 | ||
本发明涉及数据存储领域,公开了一种随机编码方法及固态硬盘。其中,所述随机编码方法应用于固态硬盘,包括:接收输入数据;根据线性反馈移位寄存器,产生随机序列;基于所述随机序列,对所述输入数据进行逻辑运算,以获得待存储数据,其中,所述输入数据处于高电压状态的数据与所述输入数据的数据比例大于或等于第一预设比例阈值,所述待存储数据处于高电压状态的数据与所述待存储数据的数据比例小于或等于第二预设比例阈值,所述第二预设比例阈值小于所述第一预设比例阈值。本发明实施例降低了数据存储出错的概率。
技术领域
本发明涉及数据存储领域,特别是涉及一种随机编码方法及固态硬盘。
背景技术
闪存介质的存储单元包括衬底、浮栅、控制栅、填充于衬底与浮栅之间的隧道氧化物以及位于浮栅与控制栅之间的填充氧化物,对控制栅施加电压,使电子从衬底层穿过隧道氧化物进入浮栅,由于隧道氧化物和填充氧化物的绝缘特性,使得电子被保存在浮栅中,从而完成数据的存储。
但若存储单元长时间不通电,或者随着使用时间的增加,隧道氧化物逐渐氧化,可能导致存储于浮栅中的电子逃逸,引起阈值电压的变化,使得数据存储出错,特别是处于高电压状态的存储单元,其数据存储出错的概率较高。
发明内容
本发明实施例旨在提供一种随机编码方法及固态硬盘,其能够降低数据存储出错的概率。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供以下技术方案:
第一方面,本发明实施例提供一种随机编码方法,应用于固态硬盘,所述方法包括:
接收输入数据;
根据线性反馈移位寄存器,产生随机序列;
基于所述随机序列,对所述输入数据进行逻辑运算,以获得待存储数据,其中,所述输入数据处于高电压状态的数据与所述输入数据的数据比例大于或等于第一预设比例阈值,所述待存储数据处于高电压状态的数据与所述待存储数据的数据比例小于或等于第二预设比例阈值,所述第二预设比例阈值小于所述第一预设比例阈值。
在一些实施例中,所述接收输入数据之后,所述方法还包括:
将所述输入数据存储于数据寄存器内;
其中,所述数据寄存器包括第一输入位、第一输出位以及位于所述第一输入位和所述第一输出位之间的至少一个数据位,所述线性反馈移位寄存器包括第二输入位、第二输出位以及位于所述第二输入位和所述第二输出位之间的至少一个数据位,所述随机序列分别存储于所述线性反馈移位寄存器的各个数据位。
在一些实施例中,所述方法还包括:
每隔一个时钟周期,更新所述数据寄存器;
其中,所述更新所述数据寄存器,包括:
将所述第一输出位的数据移出所述第一输出位;
将所述数据寄存器中剩余数据位的数据向右移动一位;
将所述输入数据中的一位数据移入所述第一输入位。
在一些实施例中,所述基于所述随机序列,对所述输入数据进行逻辑运算,以获得待存储数据,包括:
将从所述数据寄存器的第一输出位上移出的数据与所述线性反馈移位寄存器的第二输出位的数据进行逻辑异或运算,以获得所述待存储数据的一位数据。
在一些实施例中,所述根据线性反馈移位寄存器,产生随机序列,包括:
初始化所述线性反馈移位寄存器,产生初始随机序列;
每隔一个时钟周期,更新所述随机序列。
在一些实施例中,所述每隔一个时钟周期,更新所述随机序列,包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大普微电子科技有限公司,未经深圳大普微电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911052516.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。