[发明专利]一种NAND闪存缺陷的修复方法

权利要求书

1.一种NAND闪存缺陷的修复方法，其特征在于，所述方法为：

首先，所述方法包括虚拟冗余行，虚拟冗余行为假设的可在行方向上替换行方向的缺陷；

其次，统计缺陷所在位置的数据行和数据列上的缺陷数目，步骤S110缺陷数判断，所述步骤S110为判断总的缺陷数是否大于虚拟冗余行和冗余列能够修复的范围；如果缺陷数大于能够修复的范围，则进行步骤S180不可修；如果缺陷数小于能够修复的范围，则进行步骤S120缺陷统计；

然后，执行步骤S130缺陷排序；将缺陷数目进行排序，得到排序列表，列表中包含缺陷块或者缺陷列的代号以及缺陷的个数；

步骤S140列冗余判断；

步骤S150超过冗余列数目缺陷的处理；

步骤S160虚拟冗余行判断；

步骤S170可修；

其中，步骤S140以及步骤S160为判断总的缺陷数是否大于虚拟冗余行和冗余列能够修复的范围；如否，则判断为可修复，再进行修复；

最后，通过所述列表，使用冗余列和虚拟冗余行来替换缺陷块和缺陷列，并将使用虚拟冗余行替换的缺陷块标记为不可用块。

2.如权利要求1所述的一种NAND闪存缺陷的修复方法，其特征在于，步骤S110之前包括：

步骤S100：开始；

若总的缺陷数大于虚拟冗余行和冗余列能够修复的范围，则不可修复。

3.根据权利要求2所述的NAND闪存缺陷的修复方法，其特征在于：所述步骤S110缺陷数判断中所述能够 修复的范围为：虚拟冗余行和冗余列的乘积。

4.根据权利要求2所述的NAND闪存缺陷的修复方法，其特征在于：所述步骤S110缺陷数判断中如果NAND闪存不存在缺陷，无需下述任何步骤，将芯片标记为修复完成芯片。

5.根据权利要求2所述的NAND闪存缺陷的修复方法，其特征在于：步骤S120缺陷统计为：按块和按列分别统计的缺陷数；所述块可理解为行。

6.根据权利要求5所述的NAND闪存缺陷的修复方法，其特征在于：所述统计的缺陷数为：在缺陷数相等的情况下，如果某个缺陷单元格既可以统计为行上的缺陷也可以统计为列上的缺陷，优先考虑统计为列上的缺陷。

7.根据权利要求6所述的NAND闪存缺陷的修复方法，其特征在于：被统计过的所述缺陷单元格在下次统计时不再计数。

8.根据权利要求7所述的NAND闪存缺陷的修复方法，其特征在于：所述被统计过的缺陷单元格在下次统计时不再计数为：

某个缺陷单元格被统计为某列上的缺陷，下次在统计该缺陷对应的行缺陷时，仅统计该行去掉该缺陷后其他的缺陷数；

某个缺陷被先统计为行上的缺陷，下次在统计该缺陷所在的列上的缺陷数时，仅统计去掉该缺陷后的该列其他的缺陷数。

9.根据权利要求5所述的NAND闪存缺陷的修复方法，其特征在于：所述步骤S120缺陷统计还包括：分别按块和按列得到的缺陷数再次进行统计：首先统计缺陷数最大的块或者列；然后去掉该块或者列上的缺陷；再次统计下次缺陷数最大的块或者列；直到所有的缺陷数被统计完。

10.根据权利要求2所述的NAND闪存缺陷的修复方法，其特征在于：所述步骤S130缺陷排序为：仅按照缺陷数目的大小，对S120步骤统计后的块和列综合排序。

11.根据权利要求10所述的NAND闪存缺陷的修复方法，其特征在于：所述综合排序为不分块和列的优先级，缺陷数目最大的块或者列排在最前面，最先分配冗余，次最大的依次排列。

12.根据权利要求2所述的NAND闪存缺陷的修复方法，其特征在于：所述步骤S140列冗余判断为：判断有缺陷的列的数目是否超过总的冗余列。