[发明专利]一种具有可变图形的发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开了一种具有可变图形的发光二极管及其制备方法，所述二极管包括外延片，所述外延片上表面蒸镀有ITO膜，所述ITO膜上设置有若干个发光区和刻蚀区，每个所述发光区上对应设置有P面电极，相邻P面电极之间绝缘隔开；所述刻蚀区表面沉积有绝缘层，所述外延片远离ITO膜的一侧端面上蒸镀有N面电极。本发明结构简单，步骤设计合理，制备得到的发光二极管能够单独使用，不需要与分划板配合工作，其自身就能够作为发出所需要的图形，在提高光源利用率的同时保证了结构简单、功耗低的优点；同时通过本技术方案制备得到二极管的发光图形具有可变性，能够根据反射瞄准镜与目标之间的距离进行发光图形的变换，具有较高的实用性。

技术领域

本发明涉及光电子技术领域，具体是一种具有可变图形的发光二极管及其制备方法。

背景技术

反射式瞄准镜是一种无放大倍率的光学瞄准具，其利用了球面反射的原理，使入射到眼睛的反射光线平行射入观察者眼中，使得观察者眼睛不必在镜片的中轴线上也能看到红点，可以提升移动目标或身体移动时的射击精度。反射式瞄准镜的光源部分目前有LED/LD光源、同位素放射光源等。

同位素放射源是用一种放射性元素辐射出的可见光作为光源，虽然其寿命非常长，但成本较高。LED/LD光源是将LED/LD前放置一片圆形或其他图案的分划板，光源发出的光经过分划板的限制后射向反射镜上，反射镜将光线反射成平行光射出。其特点是结构简单、功耗低而被广泛使用。但由于光源所发出的大部分光都被分划板挡住了，只有很少的的光发射出来，因此其光源利用率低。

针对上述问题，我们设计了一种具有可变图形的发光二极管及其制备方法，应用于反射式瞄准镜，这是我们亟待解决的问题之一。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有可变图形的发光二极管及其制备方法，以解决现有技术中的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种具有可变图形的发光二极管，所述二极管包括外延片，所述外延片上表面蒸镀有ITO膜，所述ITO膜上设置有若干个发光区和刻蚀区，每个所述发光区上对应设置有P面电极，相邻P面电极之间绝缘隔开；所述刻蚀区表面沉积有绝缘层，所述外延片远离ITO膜的一侧端面上蒸镀有N面电极。

较优化地，所述发光区的数量为m个，所述P面电极的数量为n个，所述二极管可产生的发光图形为q种，则：m＝n，q＝2ⁿ-1。

本发明设计了一种具有可变图形的发光二极管及其制备方法，通过制作具有图形的发光二极管，不仅能够代替传统瞄准镜中光源、分划板的组合，在使用时产生具有设定图形的光线，而且在保留结构简单、功耗低的基础上提高了光源利用率，降低成本；且在实际使用时，我们一般使用圆点图形或者十字图形进行目标瞄准，但该图形的设定有一个不可避免的缺点，即无法根据目标与反射瞄准镜之间的距离进行变化，当目标距离较远时，使用圆点图形或十字图形来进行瞄准，其瞄准精准性会大大降低，此时需要我们进行瞄准图形的更换；针对该问题，我们又在原有设计的基础上进行改进，实现发光二极管的发光图形可变，适应于多种使用环境，实用性更好。

本发明包括外延片、ITO膜、刻蚀区、若干个发光区、若干个P面电极和N面电极，其中外延片包括衬底、N型欧姆接触层、N型限制层、有源区、P型限制层和P型欧姆接触层，ITO膜作为电流扩展层，覆盖整个外延层表面，既能做到较好的电流扩展，又能提高发光二极管芯片的导电性能；ITO膜表面设计了若干个发光区，每个发光区对应一个发光图形的设计，且每个发光区上均设计一个P面电极，用于控制该发光区发光；相邻P面电极之间绝缘隔开，保证各个发光图形的独立性，避免发光区之间相互影响；除发光区以外的部分即为刻蚀区，刻蚀区可进行ICP刻蚀，刻蚀深度一直从ITO膜一直延伸至N型限制层，将有源区一同刻蚀掉，保证发光区能够形成所需要的发光图形。