[发明专利]聚偏氟乙烯薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括步骤：

将重均分子量为1.0×10⁵至3.0×10⁵的PVDF分散于溶剂中，形成PVDF溶液；

将所述PVDF溶液形成于基底上并干燥成型，得到初始膜；

将所述初始膜熔融重结晶，得到重结晶聚偏氟乙烯膜；

将所述重结晶聚偏氟乙烯膜多次退火，得到包含γ晶及β晶的聚偏氟乙烯薄膜；

其中，所述多次退火至少包括第一次退火和第二次退火，定义所述重结晶聚偏氟乙烯膜的熔融曲线的α晶熔融峰的最高点对应的温度为峰值温度A1，定义所述熔融曲线的熔融峰终止点对应的温度为终止温度A2，将所述重结晶聚偏氟乙烯膜进行第一次退火的退火温度的范围为A1-3℃至A2+8℃，定义第一次退火后的聚偏氟乙烯膜的熔融曲线的α晶熔融峰的最高点对应的温度为峰值温度B1，定义所述熔融曲线的熔融峰终止点对应的温度为终止温度B2，将所述重结晶聚偏氟乙烯膜进行第二次退火的退火温度的范围为B1-3℃至B2+5℃，将所述重结晶聚偏氟乙烯膜进行第一次退火的降温速率为1℃/min至25℃/min，将所述重结晶聚偏氟乙烯膜进行第二次退火的降温速率为1℃/min至30℃/min。

2.如权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，将所述重结晶聚偏氟乙烯膜进行第一次退火的退火温度的范围为A1+5℃至A2+5℃。

3.如权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，将所述重结晶聚偏氟乙烯膜进行第一次退火的升温速率为1℃/min至40℃/min。

4.如权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，定义所述熔融曲线的γ晶熔融峰的最高点对应的温度为峰值温度B3，将所述重结晶聚偏氟乙烯膜进行第二次退火的退火温度的范围为B1+5℃至B3+3℃。

5.如权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，将所述重结晶聚偏氟乙烯膜进行第二次退火的升温速率为1℃/min至20℃/min。

6.如权利要求1至5任一项所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述PVDF的重均分子量为1.8×10⁵的PVDF；对所述重结晶聚偏氟乙烯膜进行第一次退火处理的退火温度的范围为166℃至183℃，对所述重结晶聚偏氟乙烯膜进行第二次退火处理的退火温度的范围为165℃至186℃。

7.如权利要求6所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，对所述重结晶聚偏氟乙烯膜进行第一次退火处理的退火温度的范围为174℃至180℃，对所述重结晶聚偏氟乙烯膜进行第二次退火处理的退火温度的范围为173℃至179℃。

8.一种电容器的制备方法，包括步骤：

蒸镀形成第一金属铝层；

采用如权利要求1至7任一项所述的聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，在所述第一金属铝层表面形成聚偏氟乙烯薄膜；及

在所述聚偏氟乙烯薄膜表面蒸镀第二金属铝层，得到电容器；其中，所述第一金属铝层及第二金属铝层分别为所述电容器中的两个电极，所述第一金属铝层及第二金属铝层之间的所述聚偏氟乙烯薄膜为所述电容器的绝缘膜。