[发明专利]一种厚膜光刻胶显影工艺

权利要求书

1.一种厚膜光刻胶显影工艺，其特征在于：该显影工艺具体包括如下步骤：

(1)采用单个显影喷嘴的动态喷淋方式将显影液喷洒于晶圆上的光刻胶表面，显影喷头(喷嘴)的移动方式为从晶圆中心正上方平移到晶圆边缘正上方停止，使显影液完全覆盖在光刻胶表面；

(2)采用去离子水喷嘴喷洒去离子水，由晶圆中心开始至晶圆边缘处停止，以冲洗掉显影液及反应残留物；

(3)晶圆采用一定的转速旋转，以将大部分残留的去离子水甩出晶圆表面，并保证晶圆表面湿润；

(4)采用扫描式显影喷嘴在静止的晶圆表面喷洒显影液，显影喷头(喷嘴)的移动方式为从晶圆一侧的初始位置正上方平移到晶圆另一侧的结束位置正上方，使显影液完全涂布于晶圆上；

(5)通过步骤(4)将显影液涂布于晶圆后，采用间歇式动态显影方式进行显影；所述间歇式动态显影方式是指：晶圆间歇式转动；

(6)采用去离子水喷嘴喷洒去离子水，由晶圆中心开始至晶圆边缘处停止，以冲洗掉显影液及反应残留物。

(7)将晶圆甩干。

2.根据权利要求1所述的厚膜光刻胶显影工艺，其特征在于：所述厚膜光刻胶是指晶圆上涂布的膜厚为2～4μm的光刻胶。

3.根据权利要求1所述的厚膜光刻胶显影工艺，其特征在于：步骤(1)中，显影液涂布过程中，显影喷嘴移动速度为5～10mm/s，喷洒流量为600ml/min，晶圆(承片台)转速300～500r/min。

4.根据权利要求1所述的厚膜光刻胶显影工艺，其特征在于：步骤(2)中，去离子水喷嘴移动速度为10～15mm/s，去离子水流量为800～1200ml/min，晶圆转动速度为200r/min左右。

5.根据权利要求1所述的厚膜光刻胶显影工艺，其特征在于：步骤(3)中，晶圆转动速度1500～2000r/min，转动时间2～4s。

6.根据权利要求1所述的厚膜光刻胶显影工艺，其特征在于：步骤(4)中，扫描式显影喷嘴移动速度为20～40mm/min，显影液喷洒流量为1600～2000ml/min。

7.根据权利要求1所述的厚膜光刻胶显影工艺，其特征在于：步骤(5)中，间歇式动态显影方式中，晶圆循环进行静止-旋转的过程，其中，单次静止的时间为5s，单次旋转的时间为2s，单次旋转的转速为30r/min，共循环7次，显影反应时间共49s。

8.根据权利要求1所述的厚膜光刻胶显影工艺，其特征在于：步骤(6)中去离子水冲洗的时间为步骤(2)中去离子水冲洗时间的1.5～2.5倍。

9.根据权利要求1所述的厚膜光刻胶显影工艺，其特征在于：步骤(7)中，晶圆转动速度为2000r/min，转动时间20s。