[发明专利]接合装置及接合方法在审
申请号: | 201911051462.5 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN111199890A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 金度延;李忠现;李恒林;金旼永 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 赵瑞 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 装置 方法 | ||
1.一种用于将接合对象接合到基板上的接合方法,包括以下步骤:
对待接合所述接合对象的所述基板上的接合区域和待接合到所述基板上的所述接合对象的接合面进行亲水化;以及
通过所述接合对象的经亲水化的接合面与所述基板的经亲水化的接合区域之间的接合力而将所述接合对象预接合到所述基板上,
其中,在进行亲水化的步骤中,通过等离子体装置在所述接合面或所述接合区域形成等离子体区域,同时通过液滴喷雾装置向所述等离子体区域喷射液滴而对所述接合面或所述接合区域进行亲水化。
2.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
在进行亲水化的步骤中,所述液滴喷雾装置通过超声波液滴喷雾器向所述等离子体区域喷射微细液滴。
3.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
在进行亲水化的步骤中,所述液滴喷雾装置向所述等离子体装置与所述基板之间的空间或所述等离子体装置与所述接合对象之间的空间喷射所述液滴。
4.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
在进行亲水化的步骤中,所述液滴喷雾装置向与所述基板的接合区域或所述接合对象的接合面并排的方向喷射所述液滴。
5.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
在进行亲水化的步骤中,所述液滴喷雾装置通过对纯水施加超声波而生成微细液滴,并且将所述微细液滴喷射到所述等离子体区域而从所述微细液滴中生成OH自由基,并且在所述基板上的接合区域或所述接合对象的接合面形成用于预接合所述基板和所述接合对象的液膜。
6.根据权利要求1所述的接合方法,还包括以下步骤:
通过接合头部拾取支撑在支撑单元上的所述接合对象并将所述接合对象传送到支撑在接合台上的所述基板的上部区域,
其中,进行亲水化的步骤包括以下步骤:
通过所述等离子体装置在所述支撑单元与所述接合台之间的所述接合对象的传送路径上形成所述等离子体区域;
通过所述液滴喷雾装置向所述等离子体区域喷射微细液滴;以及
在使所述接合对象在喷射有所述微细液滴的所述等离子体区域中移动的同时对所述接合对象的接合面进行亲水化。
7.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
进行亲水化的步骤包括以下步骤:
通过第一亲水化处理部在所述基板上的接合区域形成等离子体区域的同时喷射微细液滴而对所述基板上的接合区域进行亲水化;以及
通过第二亲水化处理部在所述接合对象的接合面形成等离子体区域的同时喷射微细液滴而对所述接合对象的接合面进行亲水化。
8.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
进行亲水化的步骤包括以下步骤:
通过包括所述等离子体装置和所述液滴喷雾装置的亲水化处理部在所述基板上的接合区域形成等离子体区域的同时喷射微细液滴而对所述基板上的接合区域进行亲水化;以及
在对所述基板上的接合区域进行亲水化之前或之后,通过所述亲水化处理部在所述接合对象的接合面形成等离子体区域的同时喷射微细液滴而对所述接合对象的接合面进行亲水化。
9.根据权利要求1所述的接合方法,其中,
在进行亲水化的步骤中,通过向利用介质阻挡放电方式形成的所述等离子体区域供给微细液滴而在所述基板的接合区域或所述芯片的接合面上生成液体等离子体。
10.根据权利要求1所述的接合方法,还包括以下步骤:
在所述基板和所述接合对象预接合的状态下进行热处理以将所述接合对象后接合到所述基板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造