[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

可以提供一种正交双端口Ram(ORAM)存储器单元。ORAM存储器单元可以包括数据存储元件、第一端口位线和第二端口位线，该第二端口位线可以基本上垂直于第一端口位线。ORAM存储器单元还可以包括第一字线，该第一字线可以基本上垂直于第一端口位线，其中该ORAM存储器单元可以被配置为当第一字线被启用时从数据存储元件向第一端口位线读取数据。该ORAM存储器单元还可以包括第二字线，该第二字线垂直于第二端口位线，其中该ORAM存储器单元可以配置为当第二字线被使能时从数据存储元件向第二端口位线读取数据。本发明的实施例还涉及存储器装置及操作存储器装置的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器装置及其操作方法。

背景技术

半导体存储器是在基于半导体的集成电路上实现的电子数据存储器件。半导体存储器具有许多不同的类型，并且比其他数据存储技术具有更快的存取时间。例如，数据的字节通常可以在几纳秒内被写入半导体存储器或从半导体存储器中读取，而针对旋转存储(例如，硬盘)的存取时间则在毫秒的范围内。出于这些原因，其中，半导体存储器被用作计算机的主要存储机制，以保持计算机当前正在工作的数据，以及其它用途。

发明内容

本发明的实施例提供了一种存储器装置，包括：存储器阵列，存储器阵列包括多个双端口存储器单元；多个双端口存储器单元的第一部分，布置在第一行中；多个双端口存储器单元的第二部分，布置在第二行中；多个双端口存储器单元的第三部分，布置在第一列中；多个双端口存储器单元的第四部分，布置在第二列中；第一多个位线，对应于多个双端口存储器单元的第三部分并且布置在第一列中；第二多个位线，对应于多个双端口存储器单元的第四部分并且布置在第二列中；第三多个位线，对应于多个双端口存储器单元的第一部分并且布置在第一行中；第四多个位线，对应于多个双端口存储器单元的第二部分并且布置在第二行中；第一字线，对应于布置在第一行中的多个双端口存储器单元的第一部分；第二字线，对应于布置在第二行中的多个双端口存储器单元的第二部分；第三字线，对应于布置在第一列中的多个双端口存储器单元的第三部分；以及第四字线，对应于布置在第二列中的多个双端口存储器单元的第四部分。

本发明的另一实施例提供了一种存储器装置，包括：数据存储元件；第一端口位线；第二端口位线，垂直于第一端口位线；第一字线，垂直于第一端口位线，其中，装置配置为当第一字线被使能时从数据存储元件向第一端口位线读取数据；以及第二字线，垂直于第二端口位线，其中，装置配置为当第二字线被使能时从数据存储元件向第二端口位线读取数据。

本发明的又一实施例提供了一种操作存储器装置的方法，包括：在存储器阵列的行字线处接收第一激活信号；响应于接收到第一激活信号而激活存储器阵列中的与行字线相对应的行中的多个存储器单元；在存储器阵列的列字线处接收第二激活信号；以及响应于接收到第二激活信号而激活存储器阵列中的与列字线相对应的列中的多个存储器单元。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1是示出根据一些实施例的存储器单元的图。

图2是示出根据一些实施例的正交双端口Ram(ORAM)存储器阵列的图。

图3示出了根据一些实施例的允许存储器阵列的单周期行存取和单周期列存取。

图4示出了根据一些实施例的使用八位字ORAM实施实例的本公开的方面。

图5示出了根据一些实施例的芯片布局图。

图6示出了根据一些实施例的用于提供ORAM存储器阵列的方法。

具体实施方式