[发明专利]半导体装置

说明书

本发明实施例提供半导体装置，其包括半导体鳍状物、隔离结构、外延的源极/漏极结构以及硅化物层。半导体鳍状物位于基板上；隔离结构至少部分地围绕半导体鳍状物；外延的源极/漏极结构，位于半导体鳍状物上，其中外延的源极/漏极结构的延伸部分延伸于隔离结构上；硅化物层位于外延的源极/漏极结构上，且硅化物层连续围绕隔离结构上的外延的源极/漏极结构的延伸部分。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置与其制作方法，尤其涉及场效晶体管如鳍状场效晶体管、全绕式栅极场效晶体管及/或其他场效晶体管的制作方法。

背景技术

半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术演进，使每一代的集成电路比前一代的集成电路具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。工艺尺寸缩小通常有利于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小亦增加形成与处理集成电路的复杂度，因此形成与处理集成电路的方法亦需类似发展以实现这些进展。举例来说，在装置尺寸持续减少时，减少源极/漏极结构与其金属接点之间的接触电阻的挑战更大。虽然解决此挑战的方法通常适用，但这些方法仍无法完全符合所有方面的需求。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体装置，包括半导体鳍状物、隔离结构、外延的源极/漏极结构以及一硅化物层。半导体鳍状物位于基板上；隔离结构，至少部分地围绕半导体鳍状物；外延的源极/漏极结构，位于半导体鳍状物上，其中外延的源极/漏极结构的延伸部分延伸于隔离结构上；以及硅化物层，位于外延的源极/漏极结构上，且硅化物层连续围绕隔离结构上的外延的源极/漏极结构的延伸部分。

本发明一实施例提供的半导体装置的制作方法，包括：形成自基板凸起的半导体鳍状物，与半导体鳍状物上的第一栅极堆叠；形成暂时的间隔物于第一栅极堆叠的侧壁上；形成凹陷于半导体鳍状物中；自凹陷成长外延的源极/漏极结构；移除暂时的间隔物层，以形成与外延的源极/漏极结构相邻的开口；经由开口形成虚置外延盖层以包覆隔离结构上的外延的源极/漏极结构的延伸部分；形成层间介电层于虚置外延盖层上；图案化层间介电层以形成接点孔露出虚置外延盖层；经由接点孔选择性地移除虚置外延盖层，以露出外延的源极/漏极结构；以及形成硅化物层以包覆外延的源极/漏极结构的延伸部分。

本发明一实施例提供的半导体装置的制作方法，包括：形成半导体鳍状物于基板上；形成虚置栅极堆叠以与半导体鳍状物交错；形成暂时的间隔物于虚置栅极堆叠的侧壁上；移除半导体鳍状物的一部分以形成与虚置栅极堆叠相邻的凹陷；自凹陷成长外延的源极/漏极结构；移除暂时的间隔物层，以形成与外延的源极/漏极结构相邻的开口；经由开口形成虚置外延盖层，以包覆隔离结构上的外延的源极/漏极结构的延伸部分；形成层间介电层于虚置外延盖层上；进行栅极置换工艺，将虚置栅极堆叠置换为金属栅极结构以围绕堆叠于基板上的多个通道；图案化层间介电层以形成接点孔露出虚置外延盖层；经由接点孔选择性地移除虚置外延盖层，以露出外延的源极/漏极结构；以及形成硅化物层于外延的源极/漏极结构的延伸部分上。

附图说明

图1A与图1B为本发明一些实施例中，形成半导体装置所用的方法的流程图。

图2A为本发明一些实施例中，半导体装置的三维透视图。

图2B为本发明一些实施例中，半导体装置的平面俯视图。

图3A、图4A、图5A、图6A、图7A、图8A、图9A、图10A、图11A、与图12A显示本发明一些实施例中，在图1的方法的中间阶段的图2A与图2B的半导体装置沿着剖线AA’的剖视图。

图3B、图4B、图5B、图6B、图7B、图8B、图9B、图10B、图11B、与图12B显示本发明一些实施例中，在图1的方法的中间阶段的图2A与2B的半导体装置沿着剖线BB’的剖视图。