[发明专利]一种防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置

说明书

本发明涉及半导体加工领域，具体涉及一种防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置，包括坩埚、火山口、多个衬锅、多个升降装置和驱动装置，所述坩埚内设有多个坩埚容器，所述衬锅内盛放蒸镀源且放置在所述坩埚容器内，坩埚上方置有所述火山口，坩埚底端开设有多个孔口，所述升降装置穿过孔口与坩埚连接，并所述驱动装置电性连接，驱动装置控制并调节衬锅的运作状态，本发明调节衬锅的高度，缩小衬锅与火山口之间的间隙，改善了在蒸镀过程中相邻蒸镀源间的交叉污染现象，减少因镀源污染造成的片源异常，降低异常率，减少镀源交叉污染导致镀源无法继续使用，造成镀源的浪费，有效地降低成本；在蒸镀过程中，由于衬锅底部远离坩埚容器底部。

技术领域

本发明涉及半导体加工领域，具体涉及一种防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置。

背景技术

在半导体制程工艺中，电子枪式金属蒸镀设备的原理是：电子枪经高压电加热后发射电子束，电子束轰击在衬锅内的金属膜料等蒸镀源表面并对其进行加热，使其熔融，在高真空环境中，待金属膜料温度超过临界温度后，固体的金属膜料便变成金属蒸汽，产生金属蒸汽流，蒸汽流中携带的金属原子或分子遇到晶片时，进而冷凝沉积成固体薄膜。

目前电子枪式蒸镀机多为多蒸镀源设备，且使用坩埚旋转方式选择蒸镀源。火山口固定在坩埚底座上方，坩埚底座上端与火山口下端之间存在一定的间隙，且该间隙无法调整。因此，在蒸镀时，少部分蒸发物会通过间隙附着到相邻的蒸镀源表面，造成蒸镀源的交叉污染，使得产品的良率降低，同时，造成了金属镀源的浪费，增大了生产的成本。

发明内容

本发明的目的在于提供防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置，该蒸馏装置，通过调节衬锅的高度，缩小衬锅与火山口之间的间隙，改善了在蒸镀过程中相邻蒸镀源间的交叉污染现象。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置，包括坩埚、火山口、多个衬锅、多个升降装置和驱动装置，所述坩埚内设有多个坩埚容器，所述衬锅内盛放蒸镀源且放置在所述坩埚容器内，坩埚上方置有所述火山口，坩埚底端开设有多个孔口，所述升降装置穿过孔口与坩埚连接，并所述驱动装置电性连接，驱动装置控制并调节衬锅的运作状态。

作为防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置的一种优选方案，所述衬锅运作时，衬锅的上端不低于火山口的下端。

作为防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置的一种优选方案，所述升降装置包括倒工字型升降台和弹性件。

作为防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置的一种优选方案，所述倒工字型升降台上端放置所述衬锅。

作为防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置的一种优选方案，所述弹性件位于倒工字型升降台中间并包裹于其外周。

作为防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置的一种优选方案，所述弹性件为弹簧。

作为防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置的一种优选方案，所述升降装置与所述坩埚容器数目一致。

作为防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置的一种优选方案，所述驱动装置包括推杆和驱动电机，所述驱动电机的输出轴调节所述升降装置与所述衬锅朝向或背离所述火山口运动。

本发明的有益效果：通过调节衬锅的高度，缩小衬锅与火山口之间的间隙，改善了在蒸镀过程中相邻蒸镀源间的交叉污染现象，减少因镀源污染造成的片源异常，降低异常率，减少镀源交叉污染导致镀源无法继续使用，造成镀源的浪费，有效地降低成本；在蒸镀过程中，由于衬锅底部远离坩埚容器底部，因此减弱了坩埚底部对衬锅内镀源的冷却作用，从而减小镀膜时的功率输出，进一步节省生产成本。

附图说明