[发明专利]外延石墨基座

说明书

本公开公开了一种外延石墨基座，属于外延生长设备领域。平边衬底放置在圆形凹槽内，圆形凹槽的侧壁上有阻挡层，阻挡层包括与圆形凹槽的侧壁相接触连接面，平边衬底的平边区域在圆形凹槽的底面上的投影为线段，连接面在底面上的投影为弧线。弧线两端之间距离大于线段长度，且线段两个端点与弧线两个端点通过两个直线段构成的封闭图形位于阻挡层在底面的投影内时，位于衬底与圆形凹槽的底面之间的阻挡层可以封闭平边衬底的平边区域与侧壁间的间隙，阻止了气流与热度从平边衬底的平边区域与圆形凹槽的侧壁之间的间隙中流失，减小可能出现的平边衬底整体受热不均及外延层在生长时的温度不达标的情况，平边衬底上生长的外延层的质量得到提高。

技术领域

本公开涉及外延生长设备领域，特别涉及一种外延石墨基座。

背景技术

外延石墨基座是金属有机化合物化学气相沉积(英文：Metal-organic ChemicalVapor Deposition，简称：MOCVD)设备的一部分，外延石墨基座为圆柱体，外延石墨基座的一端的端面上设置有多个用于放置平边衬底的圆形凹槽。每个圆形凹槽的侧壁上均设置有多个等高的支撑凸起。外延石墨基座的另一端与MOCVD设备的驱动结构相连。

在制备外延片时，需要将衬底一一对应放在每个圆形凹槽内，衬底被支撑在多个支撑凸起上，与圆形凹槽的底面存在一定距离，圆形凹槽底面上的热量经过空气传递至衬底上，以使衬底的温度达到外延生长的要求温度。但在平边衬底上生长外延层时，平边衬底为圆形板的侧壁上切出有一平行圆形板轴线的平面的结构，气流会从平边衬底的平边区域与圆形凹槽侧壁之间的间隙流出，热量随气流一同从平边衬底的平边区域与圆形凹槽侧壁之间的间隙流失，导致平边衬底的平边区域能够达到的温度比其它部分低，达不到外延生长的要求温度，最终影响平边衬底上生长的外延层的质量。

发明内容

本公开实施例提供了一种外延石墨基座，能够减小平边衬底在生长时会出现的热度流失，保证在衬底上生长的外延层的质量。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种外延石墨基座，所述外延石墨基座的一端的端面上设置有多个用于放置平边衬底的圆形凹槽，每个所述圆形凹槽的侧壁上均设置有多个等高的支撑凸起，所述平边衬底支撑在多个所述支撑凸起上，所述平边衬底为一圆形板，所述平边衬底的侧壁上开有一平行所述平边衬底的轴线的平面，所述平面为所述平边衬底的平边区域，

所述圆形凹槽的侧壁上还设置有阻挡层，所述阻挡层仅包括一个与所述圆形凹槽的侧壁相接触的连接面，所述连接面与所述圆形凹槽的侧壁的形状相匹配，所述平边衬底的平边区域在所述圆形凹槽的底面上的投影为线段，所述连接面在所述底面上的投影为弧线，所述弧线的两个端点之间的距离大于所述线段的长度，所述线段的两个端点与所述弧线的两个端点分别通过两个直线段连接，所述线段、所述弧线与所述两个直线段构成一个封闭图形，所述封闭图形位于所述阻挡层在所述底面的投影内，所述阻挡层位于所述平边衬底与所述底面之间。

可选地，所述阻挡层在所述底面上的投影为月牙形。

可选地，所述阻挡层的两个端面均平行所述圆形凹槽的底面。

可选地，在所述底面的法向上，所述阻挡层与所述底面之间的最大距离等于所述支撑凸起与所述底面之间的最大距离。

可选地，所述阻挡层上设置有涂覆层，所述涂覆层包括与所述阻挡层的两个端面所在平面均相交的涂覆面，所述涂覆面与所述圆形凹槽的轴线之间的距离，在沿所述平边衬底靠近所述底面的方向上逐渐减小。

可选地，所述涂覆层在所述底面上的投影为月牙形。

可选地，所述阻挡层远离所述圆形凹槽的侧壁的一面垂直所述底面。

可选地，所述阻挡层为对称结构，所述阻挡层的对称轴与所述外延石墨基座的轴线相交，所述阻挡层位于所述圆形凹槽的轴线与所述外延石墨基座的轴线之间。

可选地，所述阻挡层为涂层。