[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

制造半导体器件的方法包括：在一个或多个芯片的表面上形成焊料层。在一个或多个芯片中的每个上的焊料层上方放置盖。施加热量和压力以熔化焊料层，并将每个盖附接至相应的焊料层。焊料层具有≥50W/mK的热导率。本发明的实施例还涉及半导体器件。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着功耗超过500W，改进的封装件中的散热问题变得越来越具有挑战性，尤其是在高性能和人工智能应用中。传统方法是在芯片和盖之间使用热界面材料(TIM)来增强散热。常规热界面材料的热导率通常小于10W/mK，这可能会将封装件的工作功率限制为小于500W。

发明内容

本发明的实施例涉及一种制造半导体器件的方法，包括：在一个或多个芯片的表面上形成焊料层；在所述一个或多个芯片中的每个上的焊料层上方放置盖；以及施加热量和压力以熔化所述焊料层，并经由所述焊料层将每个所述盖附接至相应的芯片，其中，所述焊料层具有≥50W/mK的热导率。

本发明的另一实施例涉及一种制造半导体器件的方法，包括：在设置在芯片的主表面上的多个接合焊盘上的每个上形成金属柱；在所述金属柱的每个上形成焊料层；将盖放置所述金属柱的每个上的所述焊料层上方；以及施加热量和压力以熔化所述焊料层，并且经由所述焊料层将所述盖附接至所述芯片。

本发明的又一实施例涉及一种半导体器件，包括：芯片，设置在衬底上方；焊料层，设置在所述芯片的表面上方，以及盖，经由所述焊料层附接至所述芯片。

附图说明

当接合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图2示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图3A和图3B示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图4示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图5示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图6示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图7示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图8示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图9示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图10示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图11示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图12示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图13示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图14示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图15示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图16示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图17示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图18示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。

图19示出了根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序步骤。